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公开(公告)号:CN220556313U
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN202322300207.8
申请日:2023-08-25
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型为一种基于光栅干涉式测量的纳米位移台校准装置,包括准直光源、置于所述准直光源光路上的光电探测模块、与所述光电探测模块位置对应的待校准的纳米位移台、置于所述待校准的纳米位移台上的光栅、与所述光电探测模块电路连接的信号处理系统以及与所述待校准的纳米位移台电路连接的位移台驱动系统,所述位移台驱动系统驱动待校准的纳米位移台带动光栅同步运动,所述的光电探测模块设有用于采集干涉信号的光电探测器,所述光电探测器采集的干涉信号转化为电流信号传输至信号处理系统,由信号处理系统对干涉信号进行数据处理,获得光栅和待校准的纳米位移台的位移信息。
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公开(公告)号:CN219936177U
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202321273857.1
申请日:2023-05-24
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型为一种背对式两光栅相互平行的调节装置,用于实现两光栅栅面平行和两光栅栅线平行的调节,包括第一光栅A、第二光栅B、红光光源、接收屏、光栅安装板、小孔光阑、准直光源、分别设于光栅四个角的螺纹结构和用于光栅与光栅安装板连接安装的伸缩式卡槽旋转机构,通过调节分设于光栅安装板正反两面的第一光栅A和第二光栅B分别与同一水平准直光源垂直来实现两光栅的栅面平行调节,通过红光光源发射光线,由接收屏分次显示两光栅形成的衍射图样,并对两个或以上的衍射光斑分别标记后连线,调节第一光栅A使其标记连线与第二光栅B的标记连线平行,完成两光栅的栅线平行调节。
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公开(公告)号:CN216791112U
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202120786964.9
申请日:2021-04-17
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型为一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板,其特征在于:所述的纳米膜厚标准样板包括设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域,所述的第一测量工作区域设有小光斑光源测量工作中心圆,所述的第二测量工作区域设有大光斑光源测量工作中心圆,所述的小光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向小光斑光源测量工作中心圆的小光斑光源工作区域循迹标识,所述大光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向大光斑光源测量工作中心圆的大光斑光源工作区域循迹标识。本实用新型能够满足测量中不同光斑大小的测量需求,完善了半导体行业不同类型仪器的量值统一方式,使测量结构能被快速、准确地定位和测量,大大提高了测量效率。
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公开(公告)号:CN209116974U
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201821794604.8
申请日:2018-11-01
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN208171184U
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201820771497.0
申请日:2018-05-23
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型提供了一种分体式校准靶标,在利用激光跟踪仪对激光扫描仪的空间距离示值误差进行校准时与靶镜相配合作为测量靶标使用,包括:靶座;靶镜承托组件,具有锥柄、设置在锥柄上的连接件以及设置在连接件上并用于通过磁性吸附与靶镜相连接的靶镜座;以及靶球组件,具有球侧锥柄、设置在球侧锥柄上的三维调节机构以及设置在三维调节结构上的靶球,其中,锥柄、球侧锥柄均为莫氏锥柄,该莫氏锥柄具有相同的尺寸以及公差,且锥尖向下设置,靶座上设置有莫氏锥套,该莫氏锥套的锥尖向下,开口向上,莫氏锥套与锥柄以及球侧锥柄相匹配。本实用新型还提供了具有上述分体式校准靶标的校准装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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