公开(公告)号：CN101339954A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810110123.5

申请日：2008-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢 ,  李银河 ,  李在喆

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。

公开(公告)号：CN101304046A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127791.9

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴永洙 ,  朴宰澈

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN101257048A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080659.7

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  斯蒂法诺维奇·金里克 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。

公开(公告)号：CN101246909A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810074302.8

申请日：2008-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰澈 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：CN101235541A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710192803.1

申请日：2007-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  赵世泳 ,  殷华湘 ,  林赫

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B13/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78696 ,  Y10T428/2962

Abstract: 一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。

公开(公告)号：CN101114585A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610172718.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。

公开(公告)号：CN101064258A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610126325.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴永洙 ,  李准浩 ,  林赫 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/36 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。

公开(公告)号：CN1252804C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN1638125A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082270.8

申请日：2004-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  李明宰 ,  朴永洙

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。