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公开(公告)号：CN108946808A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810659534.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 中山大学
CPC classification number: C01G29/006 , B82Y40/00 , C01G30/003 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2004/61
Abstract: 本发明提供一种全无机铯‑铋/锑卤化物钙钛矿纳米晶及其制备方法，该制备方法先采用湿法或固相合成法制备得到Cs3M2X9微晶材料，然后将Cs3M2X9微晶材料进行超声剥离，最后离心纯化后得到Cs3M2X9纳米晶。通过对材料组分以及制备工艺的优化，纳米晶的尺寸可以在2‑100nm范围内可调。该方法操作简便快速，重现性好。使用该方法制备的Cs3M2X9纳米晶尺寸分布窄、稳定性高，可用于制作光电器件，应用到太阳电池、光电探测器、光催化及光电催化等领域。
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公开(公告)号：CN106488885B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201580016777.X
申请日：2015-04-03
Applicant: 罗地亚经营管理公司 , 法国国家科学研究中心
IPC: C01G29/00
CPC classification number: H01L31/032 , C01G29/006 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , H01L31/072 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/4226 , H01L51/4233 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种包含至少一种具有式Bi1‑xMxAg1‑y‑εM’yOS1‑zM”z的化合物的材料、用于生产所述材料的方法以及其作为半导体的用途，如用于光电或光化学用途以及特别地用于提供光电流。本发明进一步涉及使用所述化合物的光电装置。
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公开(公告)号：CN105899461B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480058114.X
申请日：2014-08-21
CPC classification number: C09K11/7769 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/84
Abstract: 本发明涉及包含掺杂晶体氧化铋的光学化合物，其特征为独特的光活性性质且特别用于展示非线性光学现象，特别是光子升频转换、降频转换、下频移和闪烁。所述光学化合物的特征为特有的晶体结构，其产生适合于宽范围应用(例如，设备、生物成像)的特性和可调节的光学性质。本发明还公开了用于生产所述化合物的简单方法，其特征为对于结构性质和光学性质的高度控制。
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公开(公告)号：CN106966429A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710181884.9
申请日：2017-03-24
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: C01G29/006 , B01J27/06 , B01J35/004 , B01J35/065 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/01 , C01P2006/40
Abstract: 本发明公开了一种n‑型BiOBr1‑xIx光电薄膜材料的制备方法。包括以下步骤：室温条件下以FTO为基底，依次在溴化钾水溶液、硝酸铋水溶液、碘化钾水溶液中浸渍为循环A；重复若干个循环，冲洗、干燥即得n‑型BiOBr1‑xIx有序纳米结构光电薄膜材料。依次在溴化钾水溶液、硝酸铋水溶液中浸渍为循环B；循环B夹杂在循环A中实施。本发明在室温下原位制备了n‑型BiOBr1‑xIx薄膜材料，操作简单，几乎没有能耗，成膜均匀，稳定性较好，克服了传统的物理气相沉积法、化学沉积法、热蒸发法等的工艺复杂且制备的样品容易团聚、脱落、不均匀等问题。
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公开(公告)号：CN106488885A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580016777.X
申请日：2015-04-03
Applicant: 罗地亚经营管理公司 , 法国国家科学研究中心
IPC: C01G29/00
CPC classification number: H01L31/032 , C01G29/006 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , H01L31/072 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/4226 , H01L51/4233 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种包含至少一种具有式Bi1-xMxAg1-y-εM’yOS1-zM”z的化合物的材料、用于生产所述材料的方法以及其作为半导体的用途，如用于光电或光化学用途以及特别地用于提供光电流。本发明进一步涉及使用所述化合物的光电装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102189800B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110060961.8
申请日：2011-03-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045
CPC classification number: B41J2/14072 , C01G23/003 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C04B35/462 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/768
Abstract: 本发明提供减少环境负荷、压电特性优异的液体喷射头以及液体喷射装置。该液体喷射头具备压力发生室和压电致动器，所述压力发生室与喷出液体的喷嘴开口连通，所述压电致动器具备由具有钙钛矿型构造的复合氧化物形成的压电材料层和设置在该压电材料层的电极层，所述复合氧化物含有铋、钠、钡、钛和锌，锌相对于钛和锌的总量的比例为0.35mol％以上且1.25mol％以下。
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公开(公告)号：CN102859736B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180019166.2
申请日：2011-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , B41J2/14 , C01G23/00 , C01G29/00 , C23C14/02 , C23C14/08 , G01C19/5607
CPC classification number: C01G23/006 , B41J2/14274 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C23C14/0021 , C23C14/025 , C23C14/088 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1871
Abstract: 本发明的目的在于提供含有非铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT相同的高压电性能的压电体膜及其制造方法。本发明的压电体膜具备具有(111)取向的(NaxBiy)TiO0.5x+1.5y+2－BaTiO3层（0.30≤x≤0.46且0.51≤y≤0.62）。
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公开(公告)号：CN101578248B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780047987.0
申请日：2007-12-21
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 福冈修一
IPC: C04B35/475 , H01L41/187 , H01L41/08
CPC classification number: C04B35/475 , C01G29/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供压动态d33常数大，在200℃的高温下也能够使用，相对于室温的动态d33常数的200℃的动态d33常数的变化小的压电陶瓷及压电元件。其特征在于，铋层状化合物在将组成式表示为Bi4Ti3O12·β[(1-γ)MlTiO3·γM2M3O3]时，满足0.405≤β≤0.498、0≤γ≤0.3，并且，M1为选自Sr、Ba、Ca、(Bi0.5Na0.5)、(Bi0.5Li0.5)及(Bi0.5K0.5)中的至少一种，M2为选自Bi、Na、K及Li中的至少一种，M3为选自Fe及Nb中的至少一种，相对于所述铋层状化合物即主成分100质量份，以氧化物(MnO2、Fe2O3)换算的总量计，含有0.05～1质量份的选自Mn及Fe中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102482160A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039361.7
申请日：2010-10-05
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/6584 , C04B2235/95 , H01B1/08 , H01C7/025 , H05B3/141 , H05B2203/02
Abstract: 本发明提供一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3中的部分Ba被Bi-Na取代，当降低常温电阻率时该组合物显示出了优异的跃升特性，并可降低常温电阻率，电阻率随时间变化较小。提供一种半导体陶瓷组合物，该组合物可用如下通式表示[(Biθ-Naδ)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3(R是至少一种稀土元素)，其中，x、y、θ和δ分别满足0＜x≤0.3，0＜y≤0.02，0.46＜θ≤0.62，0.45≤δ≤0.60，Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na≤1.20。一种半导体陶瓷组合物的制备方法，方法之一是在制备(BaR)TiO3煅烧粉末时，按如下方式称量，Bi/Na摩尔比为1.05至1.24使得Bi在Bi原料粉末中的量高于Na在Na原料粉末中的量，方法之二是在制备混合的煅烧粉末时，添加Bi原料粉末来调节Bi/Na的摩尔比为1.04至1.23，使得Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na＜1.20。
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公开(公告)号：CN101291889B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680039413.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/00 , H01L41/09
CPC classification number: C04B35/6262 , C01G29/006 , C01G49/00 , C01G49/009 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3234 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , H01L41/1873
Abstract: 提供一种压电陶瓷组成物，该压电陶瓷组成物具有含有铌酸钾/钠/锂、和钛酸铋/钠、和铁酸铋的组成。提供一种压电陶瓷，该压电陶瓷是对该压电陶瓷组成物进行烧制而得到的，机电耦合系数高，特别是压电g33常数大，并且在-40～150℃的温度范围中的共振频率的温度变化率、反共振频率的温度变化率和所述压电g33常数的温度变化率中没有第二次相转变，并且耐热性优异。
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