-
公开(公告)号：CN114857825A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210512108.3
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括形成储藏室的主体以及被设置为打开和关闭所述储藏室的门，其中，所述门包括门框架、盖和门板，所述盖布置在所述门框架之前并且包括盖固定件，所述门板布置在所述盖之前，所述门板包括位于所述门板的后表面上的第一固定件和第二固定件。当所述门板结合到所述盖的前侧时，所述第一固定件结合到所述门框架，并且所述第二固定件结合到所述盖。
-
公开(公告)号：CN107923693B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201680048861.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种冰箱，包括：主体，具有开口并且在其中包括储藏室；配置为打开或关闭开口的门；相机单元，设置在所述门中，并且配置为拍摄储藏室，其中，相机单元通过与所述门的打开或关闭相互配合而选择性地面对储藏室。利用这种结构，可以在不打开任何门的情况下查看冰箱的储藏室，并且将相机单元向外部的暴露最小化。
-
公开(公告)号：CN112923636A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110219861.9
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括形成储藏室的主体以及被设置为打开和关闭所述储藏室的门，其中，所述门包括门框架、盖和门板，所述盖布置在所述门框架之前并且包括盖固定件，所述门板布置在所述盖之前，所述门板包括位于所述门板的后表面上的第一固定件和第二固定件。当所述门板结合到所述盖的前侧时，所述第一固定件结合到所述门框架，并且所述第二固定件结合到所述盖。
-
公开(公告)号：CN102832300B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210203592.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
-
公开(公告)号：CN103078035A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210412020.0
申请日：2012-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/407 , C23C16/45578 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832300A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210203592.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
-
公开(公告)号：CN1737193B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510096501.5
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/00 , C23C16/513 , C23C16/06 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/18 , H01L21/28562
Abstract: 本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有优异的层质量。
-
公开(公告)号：CN100530698C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510092117.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/92 , H01L27/00 , H01L27/108 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/329 , H01L21/82 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。
-
公开(公告)号：CN100356519C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN03153085.0
申请日：2003-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/283 , H01L27/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02181 , C01G27/02 , C01G27/04 , C01P2006/80 , C07F7/003 , H01L21/02205 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。
-
公开(公告)号：CN100356518C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN02150443.1
申请日：2002-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/28194 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/31691 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.028 seconds)
