公开(公告)号：CN1691340A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN100479170C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101150142A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154785.8

申请日：2007-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  金钟万 ,  权章渊 ,  朴敬培

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示器以及制造其的方法，该有机电致发光显示器包括：有机发光二极管；驱动晶体管，其驱动所述有机发光二极管；以及开关晶体管，其控制所述驱动晶体管的操作，其中所述开关晶体管以及所述驱动晶体管的有源层使用具有不同密度的硅化物来晶化，从而所述驱动晶体管的所述有源层比所述开关晶体管的所述有源层具有更大的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN1753156A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510081936.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  郑智心

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。