公开(公告)号：CN112768516A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911002053.6

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  曹俊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法，一种半导体器件的终端结构，包括：半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本发明在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。

公开(公告)号：CN112768446A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910998781.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。

公开(公告)号：CN112701158A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911006756.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  敖利波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及电子领域，公开一种功率器件及电子设备，包括：衬底；形成于衬底的器件层，器件层包括开通二极管、关断二极管以及多晶电阻，开通二极管和关断二极管均包括阴极、阳极和N阱，多晶电阻包括开通电阻和关断电阻；形成于器件层背离衬底一侧的金属层，金属层包括第一金属引出部、第一连接区、第二连接区、第二金属引出部；第一金属引出部与开通二极管的阴极以及关断二极管的阳极电连接；第一连接区用于连接开通二极管的阳极和开通电阻；第二连接区用于连接关断二极管的阴极和关断电阻；第二金属引出部用于连接开通电阻和关断电阻，通过简单的电路，整合栅极开通电阻和关断电阻回路到IGBT的器件芯片中，简化了系统级电路的设计。

公开(公告)号：CN112530888A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910877701.6

申请日：2019-09-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  马颖江 ,  曾丹 ,  肖婷

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，涉及电子设备领域。包括：封装外壳、功率电子器件以及软质导热部，功率电子器件设置于封装外壳内部，封装外壳具有安装面，安装面设有镂空区，镂空区连通至功率电子器件，软质导热部，设置于镂空区内且与功率电子器件接触。本发明提供的功率模块，在功率模块在于散热器安装时，功率电子器件通过软质导热部与散热器接触。由于软质导热部具有软质和导热的功能，在与散热器接触时，即便散热器的表面存在凸起或异物，也可通过其自身的形变，使凸起或异物嵌进软质导热部，而不会发生碎裂的情况，更不会对功率电子器件造成影响。

公开(公告)号：CN111463270A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010209456.4

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  吴佳蒙 ,  马颖江

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。通过本发明能够增加并联FRD的电路恢复通路，形成一种IGBT新型背面电极设计的分布式RC-IGBT结构，有效改善RC-IGBT的导通压降，使得恢复电流的通路最短，有效地降低了损耗。

公开(公告)号：CN111293171A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201811505672.2

申请日：2018-12-10

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  廖勇波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。

公开(公告)号：CN111211097A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010097522.3

申请日：2020-02-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  葛孝昊 ,  赵家宽 ,  陈茂麟 ,  肖婷

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的封装模块和封装方法。该封装模块包括一级封装模块，一级封装模块包括：金属导热层，具有一个或多个间隔设置的散热柱和连接散热柱的连接部，连接部和散热柱一体设置，散热柱相对于连接部向第一方向凸起；功率半导体器件，设置在金属导热层的与第一方向相反的一侧表面上；绝缘保护层，包覆在功率半导体器件上，绝缘保护层具有连接孔；以及引脚，穿过连接孔与功率半导体器件电连接。在一级封装模块中既实现了对功率半导体器件的封装、又实现了散热同时还利用穿过连接孔的引脚实现了功率半导体器件的功能输出。该一级封装模块适用于各种结构的功率半导体器件的封装，可以简化功率半导体器件的封装工艺、降低成本。

公开(公告)号：CN111180405A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201811340375.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  何昌

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/48 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN111180338A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010103077.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 谢梓翔 ,  史波 ,  肖婷 ,  陈茂麟

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。

公开(公告)号：CN111106043A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911337436.9

申请日：2019-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  马颖江 ,  敖利波

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。