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公开(公告)号：CN107128872A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81B2201/02 , B81C1/0038 , B81C1/00388 , B81C1/00396
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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公开(公告)号：CN107101728A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710328750.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C1/00611 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色偏振红外探测器，在非制冷双色红外探测器上制备两个偏振结构，所述非制冷双色红外探测器分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔。本发明还涉及制备上述探测器的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及在所述非制冷双色红外探测器的第一、三区域和第二、四区域分别制备偏振结构的步骤，能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作，且具备偏振特性。
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公开(公告)号：CN107068780A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253069.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , G01J5/10 , H01L31/022425 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的桥腿区域设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤去除桥面第一保护层薄膜，对桥面上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对桥面区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
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公开(公告)号：CN107063474A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253138.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00015 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及一种曲面焦平面探测器，所述探测器所述焦平面探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述曲面焦平面探测器的制备方法，先完成电极金属层的图形化处理，在电极金属层上制作与热敏薄膜的接触孔，可以向像元边缘拓展接触孔的尺寸，采用离子束反应溅射的方法制备热敏层薄膜，且对探测器进行减薄处理，减薄后弯曲定型，探测器的结构释放可以放在弯曲定型之前，也可以放在弯曲定型之后，形成的曲面焦平面探测器更适用于大视场或超大视场。
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公开(公告)号：CN106629582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710037831.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00873 , B81C1/00896
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114323276B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111645213.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括感光芯片，感光芯片包括多个超像元，每个超像元包括多个互不相同的第一光谱像元，每个第一光谱像元包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；每个超像元输出与待测目标对应区域的光谱信息，光谱信息包括多个离散的波长，以便得到与每个波长对应的光谱图像，并得到高光谱数据立方体。本申请中特征微结构使非制冷高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，没有狭缝和窄带滤光片限制光谱成像系统的光通量，提升光通量和信噪比；超像元兼具光谱测量和成像作用，从而使非制冷高光谱成像芯片通过一次曝光拍摄即可得到高光谱数据立方体，解决传统光谱成像系统成像缓慢的问题。
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公开(公告)号：CN115016048B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210674293.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种减反射微结构，涉及光学技术领域，用于光学器件窗口上，包括基底；设于基底上表面和/或下表面的微结构层，微结构层包括至少两层层叠设置的微结构阵列层，每层微结构阵列层包括多个微结构，不同微结构阵列层中的微结构的材料不同。本申请中减反射微结构的微结构层包括微结构阵列层，微结构阵列层包括多个微结构，微结构阵列层可以等效成具有渐变折射率梯度分布的薄膜，实现减反射效果，同时微结构阵列层的层数在两层以上，且不同微结构阵列层的材料不同，减少折射率的突变，因此可以减少发生菲涅尔反射，增强减反射微结构的减反射能力，实现更好的增透效果。本申请还提供一种具有上述优点的减反射微结构制作方法。
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公开(公告)号：CN114323276A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111645213.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括感光芯片，感光芯片包括多个超像元，每个超像元包括多个互不相同的第一光谱像元，每个第一光谱像元包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；每个超像元输出与待测目标对应区域的光谱信息，光谱信息包括多个离散的波长，以便得到与每个波长对应的光谱图像，并得到高光谱数据立方体。本申请中特征微结构使非制冷高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，没有狭缝和窄带滤光片限制光谱成像系统的光通量，提升光通量和信噪比；超像元兼具光谱测量和成像作用，从而使非制冷高光谱成像芯片通过一次曝光拍摄即可得到高光谱数据立方体，解决传统光谱成像系统成像缓慢的问题。
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公开(公告)号：CN114295207A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111641467.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括成像感光芯片，成像感光芯片包括在预设方向上排布的多个线状像元阵列；每个线状像元阵列包括多个相同的光谱像元，不同线状像元阵列中的光谱像元不同，且每个光谱像元包括多个使光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；成像感光芯片在预设方向上移动时获取待测目标的光谱信息和空间信息，得到待测目标的高光谱图像。特征微结构使高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，提升光通量和信噪比；且由于使用了宽带响应光谱像元，线扫灵活性增加，可以提升高光谱图像的获取速度。
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公开(公告)号：CN110534446B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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