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公开(公告)号：CN107117579A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710331925.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J4/04 , G01J5/0825 , G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。
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公开(公告)号：CN107117578A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710328749.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔，且其上溅射方阻值不同的热敏层薄膜，能够更好地吸收不同波段的红外能量，然后转换成电学信号进行处理进行图像输出。本发明还涉及一种制备上述芯片的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及封装测试的步骤，所述芯片能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作。
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公开(公告)号：CN106989827A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710252822.2
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/0275 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器，包括多个呈曲面排列的焦平面探测器，通过调整每个半导体基座的高度，可以形成不同曲率半径的曲面探测器，且可以实现模块化制造，能够适应各种参数的光学系统；通过调整半导体基座及探测器本体的个数，使得该曲面探测器的阵列大小可调，能够适应大小不同的视场的需求；可以节省大量传统平面焦平面为保证图像质量所需的光学棱镜及光学处理元件，从而降低制造成本。
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公开(公告)号：CN106847950A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710252825.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
CPC classification number: H01L31/101 , G01J5/10 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器，在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜包括在桥面区域的半导体氧化钛薄膜和在桥腿区域的导体氧化钛薄膜，使用氧化钛作为热敏层薄膜，且对部分氧化钛薄膜进行离子注入，使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜，代替现有技术中的金属电极，工艺简单，产能较高。还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜，并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入，离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤，还包括去除光阻，沉积第二保护层，进行结构释放的步骤。
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公开(公告)号：CN106802310A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710037819.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01N27/18
CPC classification number: G01N27/18
Abstract: 本发明涉及一种单片集成的MEMS(微机电系统)气体传感器，包括含有读出电路的衬底，所述衬底上依次设有碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层，所述绝缘层上设有若干个均匀分布的加热电极，所述加热电极贯穿所述碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层的连接金属与所述衬底中的读出电路电连接，所述两相邻加热电极上依次设有热敏层、气体敏感层和气敏型金属氧化物薄膜，所述热敏层与所述加热电极电连接，所述气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同；能够同时检测多种不同的气体，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784165A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710062648.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L31/18 , B81B3/0018 , B81C1/00142 , G01J5/20 , G01J5/24 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，在金属反射层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理，图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔，所述锚点孔为直孔，沉积第二支撑层；在第二支撑层蚀刻通孔；在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106672891A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710053127.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0009 , B81B7/02 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法，所述探测器包括一包含读出电路的半导体基座和一带微桥支撑结构的探测器，所述半导体基座的读出电路与所述探测器电连接，所述探测器包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述电极金属层上设有热敏层，所述热敏层不能完全覆盖电极金属层，所述热敏层通过所述电极金属层与所述金属电极层电连接；制备时，先沉积电极金属层，再沉积热敏薄膜氧化钒，电极金属层之上覆盖着一层热敏薄膜氧化钒，使其对红外辐射的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。
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公开(公告)号：CN106352989A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610685286.0
申请日：2016-08-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构，该制作方法包括：在以读出电路为基底的晶圆上制备反射层；在反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；蚀刻第一支撑层，在反射层上方制备第一通孔；在第一支撑层上依次制备第一电极、第一介质层、第一钝化层、第二牺牲层、第二支撑层、热敏层、保护层；蚀刻第二支撑层，在第一电极上方制备第二通孔；蚀刻保护层，在热敏层上方制备接触孔；在热敏层及第二支撑层上依次制备第二电极、第二介质层、第二钝化层、第三牺牲层、第三支撑层、第三钝化层；释放各层牺牲层，得到探测器结构。本发明通过三层微桥结构提高了像素结构的有效填充因子及红外吸收效率。
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公开(公告)号：CN106340561A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610866952.0
申请日：2016-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法，属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上，依次包括三层结构，第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层；第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层、热敏层和热敏层保护层；第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制作方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元，能显著提高红外辐射的吸收率，提升探测器的响应率，为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。
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公开(公告)号：CN114295207B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111641467.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
Abstract: 本申请公开了非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪，包括成像感光芯片，成像感光芯片包括在预设方向上排布的多个线状像元阵列；每个线状像元阵列包括多个相同的光谱像元，不同线状像元阵列中的光谱像元不同，且每个光谱像元包括多个使光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构；成像感光芯片在预设方向上移动时获取待测目标的光谱信息和空间信息，得到待测目标的高光谱图像。特征微结构使高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的，提升光通量和信噪比；且由于使用了宽带响应光谱像元，线扫灵活性增加，可以提升高光谱图像的获取速度。
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