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公开(公告)号：CN100380448C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。
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公开(公告)号：CN101105945A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136876.9
申请日：2007-07-11
CPC classification number: G11B5/3929 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：磁阻效应膜，包括：磁化固定层，该层具有其磁化方向被特定地固定在一个方向上的第一铁磁性薄膜；磁化自由层，该层具有其磁化方向随外磁场变化的第二铁磁性膜；以及间隔层，该层设置在磁化固定层和磁化自由层之间，具有绝缘层和渗入绝缘层的铁磁性金属部分；一对电极，以与磁阻效应膜的膜面相垂直的方向上施加感应电流；以及一层包含非铁磁性元素的层，该层设置在磁化固定层内部和磁化自由层内部中的至少一个上。
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公开(公告)号：CN1801332A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN1746980A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN1590580A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1523575A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头和磁存储装置，其中，所述磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：RXMn100－X，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(RX’Mn1－X’)100－YFeY，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。
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公开(公告)号：CN1083597C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和铁磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和铁磁性体层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。
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公开(公告)号：CN114720920B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110966326.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式，磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括：第1磁性部件；第1对置磁性部件，从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向；以及第1磁元件，其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
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公开(公告)号：CN114594415A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110974059.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
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公开(公告)号：CN101604530A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810173830.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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