公开(公告)号：CN1590580A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410071615.X

申请日：1997-11-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山野辺尚 ,  藤冈直美 ,  石上隆 ,  胜井信雄 ,  福家广美 ,  齐藤和浩 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司 ,  渡辺高志

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/183 ,  H01F41/302 ,  H01L43/12 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。

公开(公告)号：CN100336934C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200410071615.X

申请日：1997-11-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山野辺尚 ,  藤冈直美 ,  石上隆 ,  胜井信雄 ,  福家广美 ,  齐藤和浩 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司 ,  渡辺高志

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/183 ,  H01F41/302 ,  H01L43/12 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at%的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。