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公开(公告)号：CN1856591A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027599.2
申请日：2004-09-22
CPC classification number: C23C14/10 , C23C14/3414
Abstract: 通过X射线衍射法测定溅射面的结晶面方位时，Si溅射靶的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围。Si溅射靶具有例如相对密度在70％以上95％以下范围的Si烧结材。通过这样的Si溅射靶，可改善Si氧化膜等溅射膜的膜厚特性以及成膜成本等。
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公开(公告)号：CN1590580A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
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公开(公告)号：CN1856591B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480027599.2
申请日：2004-09-22
CPC classification number: C23C14/10 , C23C14/3414
Abstract: 通过X射线衍射法测定溅射面的结晶面方位时，Si溅射靶的Si的(111)面的峰强度(I(111))与(220)面的峰强度(I(220))的比率(I(111)/I(220))在1.8±0.3的范围。Si溅射靶具有例如相对密度在70％以上95％以下范围的Si烧结材。通过这样的Si溅射靶，可改善Si氧化膜等溅射膜的膜厚特性以及成膜成本等。
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公开(公告)号：CN100336934C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at%的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
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