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公开(公告)号：CN117038243A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311129090.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种铁铬钴永磁合金及其制备方法，属于合金材料技术领域，以质量百分比计，所述铁铬钴永磁合金包括：54.0％‑59.0％的Fe、25.0％‑27.0％的Cr、14.0％‑16.0％的Co、0.8％‑1.0％的Si、1.0％‑2.0％的V和0.02％‑0.03％的N。本发明通过在铁铬钴合金中形成VN颗粒，实现了使合金材料兼具磁性能和加工性能的技术效果。
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公开(公告)号：CN117020243A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311216400.1
申请日：2023-09-19
Applicant: 季华实验室
IPC: B23B19/02
Abstract: 本发明提出一种快速安装的后置式电主轴，具体涉及于机床加工技术领域,所述快速安装的后置式电主轴包括电机组件和转轴，其中：所述电机组件包括转子和定子，所述定子位于所述转子外侧并与所述转子活动连接，所述转轴位于所述转子内侧并与所述转子可拆卸连接，所述定子外侧设有电机外壳，所述电机一端与所述第一后盖固定连接，另一端与第二后盖固定连接，所述第一后盖远离所述电机外壳一侧设有编码器；所述转轴外部设有固定壳，所述转轴位于所述固定壳内部，所述固定壳与所述第二后盖进行固定连接，本发明通过将编码器固定在电机组件上，能够在转轴安装至床头箱上后，再直接安装电机组件，不需要重新拆装校准编码器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116994852A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311092377.X
申请日：2023-08-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料和高密度信息存储技术领域。本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底、缓冲层、铁磁层、氧化物层以及保护层，其中，铁磁层材料为CoZrTa，铁磁层中Co、Zr、Ta原子摩尔比为90:5:5；本发明以CoZrTa磁性层代替常用的Co、CoFe、CoFeB等，从而构建具有Pt/CoZrTa/MgO/Pt的多层膜结构，本发明的磁性多层膜，只需要利用适当原子比例的CoZrTa层作为多层膜的铁磁层，可使多层膜具有垂直磁各向异性的磁性层厚度窗口提高到2nm以上，同时又保持较低的成本，并在制备的过程中无需增加额外的插层，可以明显提高薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN115394761A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210916550.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
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公开(公告)号：CN115101284A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114002252B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111652469.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
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公开(公告)号：CN114086136A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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