公开(公告)号：CN101618852A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910056142.9

申请日：2009-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邓少任 ,  屈新萍 ,  陈韬 ,  刘书一 ,  万景 ,  陆冰睿

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

公开(公告)号：CN101181836A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710172171.2

申请日：2007-12-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  屈新萍 ,  谢申奇 ,  陆冰睿 ,  疏珍 ,  刘冉 ,  陈宜方

IPC: B41C3/00 ,  B41C1/02

Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法，压印板上层为SU8胶，经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀，中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择比的物质，下层采用的是一种易于被氧气反应离子刻蚀去除的且容易进行剥离的胶如PMMA。经过刻蚀，淀积金属以及剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，去除掉残余的金属后即得到复制的模板，本发明方法速度快，成本低，图形转移质量好。

公开(公告)号：CN100346454C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410017840.5

申请日：2004-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 屈新萍 ,  茹国平 ,  李炳宗

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。

公开(公告)号：CN1964012A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610118690.6

申请日：2006-11-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  罗佳 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流－电压拟合法(I－V)、电容－电压拟合法(1/C2－V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I－V法、1/C2－V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。