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公开(公告)号：CN102916047B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210407266.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO2层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN102915947B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210379409.X
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及有源像素传感器领域，特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽（PD）型和全耗尽（FD）型MOS器件在同一绝缘体上硅（SOI）基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括：在多晶硅衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层：在半绝缘多晶硅层上刻蚀出沟槽；在刻蚀后的半绝缘多晶硅薄膜层上得到第二氧化层；刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口；形成顶层多晶硅层。本发明方法在实现了有源像素传感器中的部分耗尽（PD）型MOS管和全耗尽型（FD）型MOS管在同一SOI基底上制作，提高图像传感器热稳定性和抗辐射性能的同时，降低了工艺的复杂程度。
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公开(公告)号：CN102903640B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210407267.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO2层（2），在隐埋SiO2层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次刻蚀露出隐埋SiO2层（2）；第二次刻蚀保留SiGe掩蔽膜（3）右侧面积大的隐埋SiO2层（2）；外延生长顶层硅膜（5）；生长栅氧化层（7），淀积多晶硅栅（8）；第三次刻蚀去除未涂胶部分的顶层硅膜（5）；第四次横向刻蚀去除保留的SiGe掩蔽膜（3a）；外延生长补全顶层硅膜（5），P+离子注入，淀积金属电极。本发明提供一种减少掩膜版使用，简化制作工艺流程，降低制作成本的利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。
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公开(公告)号：CN103456756A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310441960.7
申请日：2013-09-26
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种有源像素结构及其制作方法，该像素结构包括：NMOS器件和PMOS器件，其中，所述NMOS器件在100晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上；所述PMOS器件在110晶向或111晶向的SOI顶层多晶硅薄膜上。与普通有源像素结构相比，在具有相同驱动能力下，本发明提供的有源像素结构的填充因子较高，进而提高了有源像素的灵敏度和信噪比。同时，该结构使有源像素的抗辐射性能、速度均得到改善。
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公开(公告)号：CN102983171A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210532877.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。
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公开(公告)号：CN102916047A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210407266.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO2层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN102916017A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210379410.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固SOI结构。本发明在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本发明提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。
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公开(公告)号：CN102903641A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210414960.3
申请日：2012-10-26
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是降低SOI PD MOSFET接触电阻和寄生电容的方法。包括在硅衬底1上外延生长SiGe层2，对中间的一段进行刻蚀，露出硅衬底1并生长外延硅层3；在外延硅层3上生长栅氧层6，在栅氧层6上淀积多晶硅栅材料，刻蚀形成栅电极7图形，淀积氮化硅介质层，回刻后形成栅侧墙8；在源漏区上方再生长硅层9，并形成N+重掺杂的外延硅层10；对SiGe层2进行横向选择性腐蚀，在源漏区与硅衬底1之间形成空气沟槽11；本发明本提供一种选择外延生长和横向刻蚀技术提高器件材料质量、减小闩锁效应、简化工艺步骤的降低SOI PD MOSFET接触电阻和寄生电容的方法。
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公开(公告)号：CN102208456B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110129276.6
申请日：2011-05-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供的是一种叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管。包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、叠置P+-P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、肖特基接触(107)、欧姆接触(108)，还包括叠置P+-P结构P部分(103)，叠置P+-P结构P+窗口部分(102)在叠置P+-P结构P窗口部分(103)上面。本发明在形成区域叠置P+-P结构P+部分前，形成类似JBS网状的一层相互分离的区域叠置P+-P结构P部分，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，提高结势垒肖特基二极管器件的反向耐压，同时降低输出电容。本发明具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN102005384B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010282532.0
申请日：2010-09-16
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/321
Abstract: 本发明提供的是一种铜金属化自形成阻挡层低温退火方法。铜合金膜淀积于含氧化合物介质之上得到的金属化体系，将得到的金属化体系在300-400℃的温度下退火处理，退火处理时，在金属化体系上施加10V-60V的偏压，在该偏压作用下产生由含氧化合物介质指向铜合金膜方向的电场，使铜合金膜中合金原子更容易偏析并在电场作用下向界面输运，与层间介质反应自形成扩散阻挡层。本发明在不增加工艺复杂度的情况下，有效地解决了铜金属化体系电阻率和热稳定性在退火温度方面的矛盾要求。同时，该工艺具有实施简单，与半导体器件制造工艺相兼容的特点。
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