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公开(公告)号：CN102903640A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210407267.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO2层（2），在隐埋SiO2层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次刻蚀露出隐埋SiO2层（2）；第二次刻蚀保留SiGe掩蔽膜（3）右侧面积大的隐埋SiO2层（2）；外延生长顶层硅膜（5）；生长栅氧化层（7），淀积多晶硅栅（8）；第三次刻蚀去除未涂胶部分的顶层硅膜（5）；第四次横向刻蚀去除保留的SiGe掩蔽膜（3a）；外延生长补全顶层硅膜（5），P+离子注入，淀积金属电极。本发明提供一种减少掩膜版使用，简化制作工艺流程，降低制作成本的利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916047B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210407266.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO2层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN102903640B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210407267.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO2层（2），在隐埋SiO2层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次刻蚀露出隐埋SiO2层（2）；第二次刻蚀保留SiGe掩蔽膜（3）右侧面积大的隐埋SiO2层（2）；外延生长顶层硅膜（5）；生长栅氧化层（7），淀积多晶硅栅（8）；第三次刻蚀去除未涂胶部分的顶层硅膜（5）；第四次横向刻蚀去除保留的SiGe掩蔽膜（3a）；外延生长补全顶层硅膜（5），P+离子注入，淀积金属电极。本发明提供一种减少掩膜版使用，简化制作工艺流程，降低制作成本的利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。
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公开(公告)号：CN102916047A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210407266.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构及形成方法。包括底层半导体衬底（1），隐埋SiO2层（2），顶层硅膜（3），栅氧化层（4），多晶硅栅（5）；其特征是：通过离子注入在顶层硅膜（3）表面和内部形成源端（A）和漏端（B）；在源端（A）一侧靠近边缘的顶层硅膜（3）和源端（A）之间刻蚀出直至隐埋SiO2层（2）的纵向沟槽（7），对源端（A）下方和保留的顶层硅膜（3a）下方的隐埋SiO2层（2）进行刻蚀，形成从保留的顶层硅膜（3a）下方经过源端（A）下方到中性体区的横向沟槽（8）。本发明提供一种减少工艺步骤，提高器件的可靠性的利用埋氧腐蚀技术的SOI体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN102903757B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210407235.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出，实现抗浮体效应，同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构；还提供一种简化制造流程，降低制作成本，提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN102903757A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210407235.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出，实现抗浮体效应，同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构；还提供一种简化制造流程，降低制作成本，提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。
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