-
公开(公告)号：CN113488477A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110692688.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L27/22 , H01L27/24
Abstract: 一种存储器结构、器件及其制造方法，该存储器结构包括围绕栅极薄膜晶体管(TFT)和堆叠在GAA晶体管上的存储器单元。GAA晶体管包括：沟道，包括半导体材料；源电极，电连接至沟道的第一端；漏电极，电连接至沟道的相反的第二端；高k介电层，围绕沟道；以及栅电极，围绕高k介电层。存储器单元包括电连接至漏电极的第一电极。
-
公开(公告)号：CN113421885A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110693104.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11592 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 一种存储器器件、一种晶体管及其制作方法，存储器器件包括铁电(FE)结构及顶部电极层，铁电结构包括介电层、设置在介电层上的铁电层及设置在铁电层上的界面金属层，其中界面金属层包含钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、氮化钽(TaN)、或它们的组合以诱发铁电层具有正交晶相；顶部电极层设置在界面金属层上。
-
公开(公告)号：CN113380850A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110476859.X
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及存储器器件。在一些实施例中，存储器器件具有：衬底；以及下部互连金属线，设置在衬底上方。存储器器件也具有：选择器沟道，设置在下部互连金属线上方；以及选择器栅电极，包裹选择器沟道的侧壁并且通过选择器栅极电介质与选择器沟道分隔开。存储器器件也具有：存储器单元，设置在选择器沟道上方并且电连接至选择器沟道；以及上部互连金属线，设置在存储器单元上方。通过将选择器放置在后端互连结构内，可以节省前端间隔，并且提供更大的集成灵活性。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。
-
公开(公告)号：CN113299661A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110566951.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11587 , H01L27/1159
Abstract: 一种半导体器件包括铁电层、第一半导体层、第一栅极、第二半导体层、第二栅极以及接触结构。铁电层具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一半导体层设置在铁电层的第一表面上。第一栅极在第一表面之上设置在第一半导体层上。第二半导体层设置在铁电层的第二表面上。第二栅极在第二表面之上设置在第二半导体层上。接触结构连接到第一半导体层及第二半导体层。
-
公开(公告)号：CN113284952A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110428161.0
申请日：2021-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L27/1159
Abstract: 本发明提供一种晶体管，所述晶体管包含栅极、沟道层、栅极绝缘层、钝化层、衬层、第一信号线以及第二信号线。第一信号线嵌入在钝化层中以形成在钝化层中且与沟道层交叠的第一通孔。第二信号线嵌入在钝化层中以在钝化层中形成与沟道层交叠的第二通孔。第二信号线与沟道层接触。衬层包含绝缘区以及与绝缘区连接的导电区。绝缘区安置在钝化层上方和第一通孔的侧壁上。导电区安置在第一通孔的底部下方且与沟道层连接。第一信号线通过导电区与沟道层电连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331762A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010772320.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路具有设置在衬底上方的介电结构内的磁隧道结(MTJ)器件。MTJ器件具有设置在第一电极和第二电极之间的MTJ。第一单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第一单极选择器配置为允许电流沿第一方向流过MTJ器件。第二单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第二单极选择器配置为允许电流沿与第一方向相反的第二方向流过MTJ器件。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN220874972U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202321497457.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B51/30 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本实用新型提供一种内存装置，包括：栅极电极，设置于绝缘材料层中；铁电介电层，设置于栅极电极之上；金属氧化物半导体层，设置于铁电介电层之上；源极特征，设置于金属氧化物半导体层之上，其中源极特征具有第一尺寸；以及源极延伸部。源极延伸部包括第一部分，第一部分设置于源极特征之上，其中第一部分具有大于第一尺寸的第二尺寸。源极延伸部也包括第二部分，第二部分自第一部分向下延伸至低于源极特征的顶表面的高度。
-
公开(公告)号：CN220123369U
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202321169547.5
申请日：2023-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露的各种实施例提供一种存储器装置及其形成方法。在一实施例中，提供一种存储器装置。存储器装置包括：第一氧化物材料，具有第一侧壁及第二侧壁；第一间隔件层，接触第一氧化物材料的第一侧壁，第一间隔件层具有第一导电类型；第二间隔件层，接触第一氧化物材料的第二侧壁，其中第二间隔件层具有第一导电类型。存储器装置亦包括沟道层，沟道层具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中沟道层接触第一氧化物材料、第一间隔件层及第二间隔件层。存储器装置还包括接触沟道层的铁电层。
-
公开(公告)号：CN218004873U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221720968.8
申请日：2022-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 , 马可·范·达尔 , 荷尔本·朵尔伯斯 , 马礼修
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 一种晶体管，包括垂直堆叠物，且以从下到上或从上到下的顺序，所述垂直堆叠物包括栅极电极、栅极介电层及有源层，且所述垂直堆叠物位于基板上方。有源层包括非晶半导体材料。包括结晶半导体材料的第一部分的结晶源极区域覆盖有源层的第一端部且电性连接至有源层的第一端部。包括结晶半导体材料的第二部分的结晶漏极区域覆盖有源层的第二端部，且电性连接至有源层的第二端部。
-
公开(公告)号：CN218004862U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221741425.4
申请日：2022-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L27/11585
Abstract: 一种具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构，其包括栅极、有源层、将有源层与栅极分隔开的栅极介电层、源极、漏极和将源极和漏极与有源层分隔开的富含氢材料层。富含氢材料层中氢的存在可能会减少源极和有源层之间以及漏极和有源层之间的接触电阻和肖特基障壁，从而提高器件性能。所揭露的晶体管结构可以在后段工艺中形成并且可以与其他后段工艺电路构件结合。因此，所揭露的晶体管结构可以包括可以在低温加工的材料，而能避免损坏先前制造的器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.033 seconds)
