公开(公告)号：CN107204367A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611121074.6

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107068617A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611104136.2

申请日：2016-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耀文 ,  黄建修 ,  蔡正原 ,  郑光茗

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/14 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在衬底中形成沟槽，沟槽形成在衬底的第一侧内并且设置在部分衬底周围。在衬底的第一侧上方和沟槽上方形成第一绝缘材料，并且在第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料。在第二绝缘材料和部分衬底上方的第一绝缘材料中形成孔。在孔中形成部件，并且载体连接至部件和第二绝缘材料。平坦化衬底的第二侧，衬底的第二侧衬底的第一侧相对。去除第二绝缘材料，并且去除载体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104425717B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310589912.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁晋瑋 ,  林杏莲 ,  蔡正原 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层，使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道（HOMO）的值与双电子阻挡层中的一个相适配，从而形成具有良好性能的光电二极管。双电子阻挡层的最低已占分子轨道（LOMO）的值被选择为小于邻近的阳极层的值，从而降低暗电流。本发明还公开了具有双电子阻挡层的有机光电二极管。

公开(公告)号：CN106571297A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610702372.8

申请日：2016-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  蔡正原

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其形成方法。该方法包括外延生长第一III‑V族化合物层、以及在第一III‑V族化合物层上方外延生长第二III‑V族化合物层，其中，在第二III‑V族化合物层上形成第一自然氧化物层。该方法还包括利用第一气体原位处理第一自然氧化物层，从而将第一自然氧化物层转化为第一晶体氧化物层。该方法还包括在第一晶体氧化物层上方形成第一晶体界面层，以及在第一晶体界面层上方形成介电钝化层。本发明实施例涉及形成高电子迁移率晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN106486506A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610626795.6

申请日：2016-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  江彦廷 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14683

Abstract: 实例性隔离结构包括位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸的第一钝化层，其中，第一钝化层包括第一介电材料。半导体器件还包括沟槽中的位于第一钝化层上的钝化氧化物层，其中，钝化氧化物层包括第一介电材料的氧化物并且具有比第一钝化层高的氧原子百分比。半导体器件还包括沟槽中的位于钝化氧化物层上的第二钝化层，其中，第二钝化层也包括第一介电材料并且具有比钝化氧化物层低的氧原子百分比。本发明实施例涉及深沟槽隔离结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106158721A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510769398.X

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耀文 ,  蔡嘉雄 ,  蔡正原

IPC: H01L21/762

Abstract: 提供了一种用于制造具有高纵横比的浅沟槽隔离(STI)区的方法。提供具有沟槽的半导体衬底。形成内衬于沟槽的第一介电层。形成填充第一介电层上方的沟槽的第二介电层。在一些实施例中，在形成第二介电层之前，将离子注入至第一介电层的注入区，注入区沿着沟槽的下部区域延伸并且限制于沟槽的下部区域。在可选实施例中，在形成第二介电层之后，对第二介电层实施紫外固化工艺。在形成第二介电层的情况下，并且在一些实施例中，完成紫外固化工艺，对第二介电层实施退火工艺。也提供了用于STI区的半导体结构。本发明实施例涉及用于填充浅沟槽隔离(STI)区的沟槽的方法。

公开(公告)号：CN105789073A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510446468.8

申请日：2015-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  朱彦璋 ,  刘冠良 ,  刘丙寅 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68785 ,  B32B37/1018 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75983 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2224/82005

Abstract: 讨论了一种接合卡盘与使用该接合卡盘的方法及包括该接合卡盘的工具。一种方法包括：在第一接合卡盘的第一表面上加载第一晶圆；在第二接合卡盘上加载第二晶圆；以及将第一晶圆接合至第二晶圆。至少部分地通过第一球面的第一部分和第二球面的第二部分来限定第一表面。第一球面具有第一半径，并且第二球面具有第二半径。第一半径小于第二半径。本发明涉及接合卡盘、接合方法及包括接合卡盘的工具。

公开(公告)号：CN101752303B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910136625.X

申请日：2009-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  吴政达 ,  陈能国 ,  蔡正原

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 一种形成集成电路结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；构图所述第二硬掩膜层以形成硬掩膜；以及，在构图第二硬掩膜层之后，烘焙所述衬底、所述第一硬掩膜层和所述硬掩膜。在所述烘焙步骤之后，形成间隔层，它包括在所述硬掩膜顶部上的第一部分，和在所述硬掩膜的相对的侧壁上的第二部分和第三部分。所述方法还包括移除所述间隔层的所述第一部分；移除所述硬掩膜；以及使用所述间隔层的所述第二部分和所述第三部分作为掩膜来构图所述第一硬掩膜层。

公开(公告)号：CN101515560B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810093278.2

申请日：2008-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  张致祥 ,  曾国华 ,  蔡正原

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一处理步骤，其中第一处理步骤提供一能量足以破坏介电材料的多个键结；以及对介电材料进行一蒸汽退火步骤。

公开(公告)号：CN101635270B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910000401.6

申请日：2009-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  曾国华 ,  蔡正原

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构的制造方法，至少包括：提供一半导体基材，此半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从上表面延伸到半导体基材中；利用旋转涂布方式填充一前驱物至开口中；对前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；在蒸汽固化后，对介电材料进行一化学机械研磨；以及在化学机械研磨后，对介电材料进行一蒸汽退火，其中进行该蒸汽固化与该蒸汽退火时是利用氢气与氧气，该蒸汽固化具有一第一氢与氧组合分压，该蒸汽退火具有一第二氢与氧组合分压，其中该第一氢与氧组合分压大于该第二氢与氧组合分压。