公开(公告)号：CN104425717B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310589912.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁晋瑋 ,  林杏莲 ,  蔡正原 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层，使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道（HOMO）的值与双电子阻挡层中的一个相适配，从而形成具有良好性能的光电二极管。双电子阻挡层的最低已占分子轨道（LOMO）的值被选择为小于邻近的阳极层的值，从而降低暗电流。本发明还公开了具有双电子阻挡层的有机光电二极管。

公开(公告)号：CN104425717A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310589912.2

申请日：2013-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁晋瑋 ,  林杏莲 ,  蔡正原 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层，使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道（HOMO）的值与双电子阻挡层中的一个相适配，从而形成具有良好性能的光电二极管。双电子阻挡层的最低已占分子轨道（LOMO）的值被选择为小于邻近的阳极层的值，从而降低暗电流。本发明还公开了具有双电子阻挡层的有机光电二极管。