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公开(公告)号：CN106486412A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610769404.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种方法，包括对半导体衬底实施各向异性蚀刻以形成沟槽。该沟槽具有垂直侧壁和连接至垂直侧壁的圆形的底部。实施损坏去除步骤以去除半导体衬底的表面层，表面层暴露于沟槽。蚀刻沟槽的圆形的底部以形成斜直底面。填充沟槽以形成在沟槽中的沟槽隔离区域。本发明实施例涉及深沟槽隔离及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103378117B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310129824.4
申请日：2013-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。
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公开(公告)号：CN103489884A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310175434.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L51/4273
Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。
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公开(公告)号：CN101752303A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910136625.X
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 本发明公开了一种在小间距器件制造中减少分层的方法。一种形成集成电路结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；构图所述第二硬掩膜层以形成硬掩膜；以及，在构图第二硬掩膜层之后，烘焙所述衬底、所述第一硬掩膜层和所述硬掩膜。在所述烘焙步骤之后，形成间隔层，它包括在所述硬掩膜顶部上的第一部分，和在所述硬掩膜的相对的侧壁上的第二部分和第三部分。所述方法还包括移除所述间隔层的所述第一部分；移除所述硬掩膜；以及使用所述间隔层的所述第二部分和所述第三部分作为掩膜来构图所述第一硬掩膜层。
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公开(公告)号：CN107204347B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611248438.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107204347A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611248438.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103489884B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310175434.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L51/4273
Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103094290B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210207827.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02129 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/76224 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN104347645A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN103378117A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129824.4
申请日：2013-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。
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