公开(公告)号：CN107204367A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611121074.6

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN107039427B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201611222514.7

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林于轩 ,  余俊磊 ,  林明正 ,  蔡俊琳

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/778

Abstract: 半导体器件包括晶体管、半导体层、有源区域和导电层。有源区域位于半导体层中。当触发晶体管运行时，导电层配置为保留有源区域中的沟道。

公开(公告)号：CN107039427A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611222514.7

申请日：2016-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林于轩 ,  余俊磊 ,  林明正 ,  蔡俊琳

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/778

Abstract: 半导体器件包括晶体管、半导体层、有源区域和导电层。有源区域位于半导体层中。当触发晶体管运行时，导电层配置为保留有源区域中的沟道。

公开(公告)号：CN113314604A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110564743.1

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱汉钦 ,  刘圣得 ,  林于轩 ,  张耀中 ,  蔡正原

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并被蚀刻停止层环绕的栅极堆叠件。本发明实施例还涉及半导体结构的制造方法。