公开(公告)号：CN103107198B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210335590.4

申请日：2012-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  孙韵茹 ,  张世勋 ,  陈嘉仁 ,  山本知成 ,  郭志伟 ,  孙孟毅 ,  丁国强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。

公开(公告)号：CN104599970A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410308658.9

申请日：2014-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  陈建颖 ,  林志忠 ,  林志翰 ,  张永融

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。

公开(公告)号：CN103515440A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310051347.4

申请日：2013-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  林志翰 ,  张铭庆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/4232 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明涉及半导体器件的伪栅电极。一个实施例包括：包含第一表面的衬底；覆盖第一表面的一部分的绝缘区，其中绝缘区的顶部限定第二表面；以及位于第二表面上方的伪栅电极，其中伪栅电极包括底部和宽于底部的基部，其中底部的宽度与基部的宽度的比值是约0.5至约0.9。

公开(公告)号：CN103107198A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210335590.4

申请日：2012-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  孙韵茹 ,  张世勋 ,  陈嘉仁 ,  山本知成 ,  郭志伟 ,  孙孟毅 ,  丁国强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。

公开(公告)号：CN101789397B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910166791.4

申请日：2009-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  林益安 ,  林志忠 ,  莫亦先 ,  陈建豪 ,  黄国泰 ,  陈薏新

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含提供具有第一及第二有源区域的半导体基材，在半导体基材上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层上形成具有第一功函数的第一金属层，移除在第二有源区域中的部分的第一金属层，在第一有源区域的第一金属层及第二有源区域的经部分移除的第一金属层上形成一半导体层，在第一有源区域中形成第一栅极堆叠及在第二有源区域中形成第二栅极堆叠，自第一及第二栅极堆叠中移除半导体层，在第一栅极堆叠的第一金属层及第二栅极堆叠的经部分移除的第一金属层上形成具有第二功函数的第二金属层。本发明提供了简单又具有经济效益的方法来整合高介电常数/金属栅极结构至CMOS工艺中。

公开(公告)号：CN101789397A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910166791.4

申请日：2009-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  林益安 ,  林志忠 ,  莫亦先 ,  陈建豪 ,  黄国泰 ,  陈薏新

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含提供具有第一及第二有源区域的半导体基材，在半导体基材上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层上形成具有第一功函数的第一金属层，移除在第二有源区域中的部分的第一金属层，在第一有源区域的第一金属层及第二有源区域的经部分移除的第一金属层上形成一半导体层，在第一有源区域中形成第一栅极堆叠及在第二有源区域中形成第二栅极堆叠，自第一及第二栅极堆叠中移除半导体层，在第一栅极堆叠的第一金属层及第二栅极堆叠的经部分移除的第一金属层上形成具有第二功函数的第二金属层。本发明提供了简单又具有经济效益的方法来整合高介电常数/金属栅极结构至CMOS工艺中。