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公开(公告)号：CN115734627A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211629549.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿器件技术领域，尤其涉及一种钙钛矿器件的封装方法。本发明提供的封装方法，包括以下步骤：将甲基丙烯酸甲酯、2‑甲基‑2‑丙烯酸‑2‑羟乙基酯磷酸酯和2‑羟基‑2‑甲基‑1‑苯基丙酮混合，得到封装浆料；将所述封装浆料涂覆在钙钛矿器件的表面后覆盖玻璃板，进行光固化。所述封装方法能够提高器件的光电流密度，进而提高器件的效率，能够明显改善器件的户外稳定性。
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公开(公告)号：CN114005900A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111359268.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/043
Abstract: 一种高效的III‑V族/硅两端叠层太阳电池，采用前表面绒面的晶硅电池为底电池，通过透明导电粘合剂与平面III‑V顶电池构成两端的叠层结构。本发明专利开发了一种基于透明导电粘合剂键合的III‑V族与晶硅的叠层电池技术，采用绒面晶硅电池作为底电池，增加了底电池的长波吸收，解决了晶硅底电池与商业绒面晶硅电池工艺不兼容的难题。即利用含有大粒径导电颗粒的透明导电粘合剂，实现平面的III‑V族顶电池与前表面绒面的晶硅底电池的桥接。且该粘合剂透过率高，纵向导电率高，可以在获得高效叠层电池的同时，为后续III‑V族与晶硅两端叠层电池的商业化应用打开了新空间。
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公开(公告)号：CN111554763A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010250627.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 南开大学
Inventor： 张晓丹 , 陈兵兵 , 李兴亮 , 李玉成 , 王鹏阳 , 许盛之 , 黄茜 , 侯国付 , 魏长春 , 陈新亮 , 任慧志 , 张德坤 , 丁毅 , 李跃龙 , 王广才 , 李宝璋 , 赵颖
IPC: H01L31/043 , H01L51/42
Abstract: 一种高开压高效钙钛矿/晶硅叠层电池，采用更宽带隙的钙钛矿电池为顶电池，通过导电粘合剂与底部晶硅电池构成两端的叠层结构。通过采用更宽带隙的钙钛矿电池作为叠层电池的顶电池，可以获得更高的叠层开路电压，有望获得更高的转换效率。本发明公开了一种采用导电粘合剂来实现钙钛矿/晶硅两端叠层电池的新型结构设计，通过增大顶部宽带隙钙钛矿电池的受光面积，补偿顶电池的电流损失，实现顶、底电池的电流匹配，获得更高的开路电压以及更高的转换效率。可应用于电解水、二氧化碳还原等需要更高开压的研究中。
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公开(公告)号：CN108198904B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201711453544.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学 , 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面，利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极，再使用平均透过率在89％以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装，最大程度地保证了密封性，使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN103474483B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201310416645.9
申请日：2013-09-13
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/052 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种周期性结构的背反射电极，包括衬底层、形成模板作用的第一层金属薄膜和起修饰作用的第二层金属薄膜，两层金属薄膜均为金属Ag、Al或Mo薄膜，构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极；其制备方法，利用水浴方法组装聚苯乙烯（PS）微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用刻蚀后的聚苯乙烯微球的模板作用，得到具有宽光谱散射作用的周期性结构的背反射电极用于作薄膜太阳电池的背反射电极。本发明的优点是：利用聚苯乙烯微球的模板作用和磁控溅射或蒸发金属薄膜，实现了高散射的周期性结构背反射电极的制备；应用于薄膜太阳电池，其短路电流密度和转换效率得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105297072A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510702423.2
申请日：2015-10-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种含硒的ZnO光阳极，包括FTO衬底和在FTO衬底表面依次沉积的ZnO:B薄膜、ZnO薄膜和ZnSe薄膜；以含硒的ZnO光阳极组装光电化学电池用于光电化学电解水，提高ZnO光阳极的光电化学性能。本发明利用热蒸发设备在绒面的ZnO:B-ZnO光阳极上蒸硒原子，降低了光阳极内光生载流子复合速度、提供了PEC性能；利用MOCVD沉积系统和热蒸发沉积系统来制备含硒的ZnO光阳极，制备步骤简单，易操作，可重复性强和易于大面积沉积。
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公开(公告)号：CN103915523A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410158934.8
申请日：2014-04-21
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/202
Abstract: 本发明提供了一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法，该方法在沉积有双面本征非晶硅钝化层I的衬底C的一面沉积非晶硅背场N，而后于N的相对面上在较低掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件下制备结构均匀的非晶硅层P2，再通过提高掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件制备结构均匀的纳米晶硅层P1，两层硅薄膜构成的非晶硅/纳米晶硅复合结构作为硅异质结太阳电池的发射层。该结构可以使材料具有高透过率，高电导的特性，在此基础上也可以改善晶体硅表面的钝化效果，实现提高电池短波响应与输出特性的目的，且其制备方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN103887351A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410140076.4
申请日：2014-04-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/02366
Abstract: 一种多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极，由铝箔衬底、具有U孔结构的多孔氧化铝陷光层和氧化锌基透明导电薄膜材料叠加组成，其中具有U孔结构的多孔氧化铝陷光层的厚度为0.1-1.2μm，氧化锌基透明导电薄膜厚度为0.5-2.0μm；该多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极应用于NIP型硅基薄膜电池。本发明的优点是：多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极结构能够在保持氧化铝多孔结构陷光特性的同时，通过氧化锌层的覆盖显著降低衬底表面均方根粗糙度，即在较小的粗糙度下获得大的陷光特性，从而在提高长波光吸收效率的前提下，减少因衬底粗糙度造成的硅基薄膜结构缺陷的生成，有利于电池光利用率及电池效率的同步提高。
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公开(公告)号：CN102097541B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010528189.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/20 , C23C16/24 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法，将产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池与窄带隙的微晶硅基太阳电池组成多结叠层太阳电池，对中间的np隧穿结进行工艺设计，形成重掺的掺杂层和良好的隧穿特性，具体步骤如下：1）通过氢等离子工艺刻蚀产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池的非晶硅n层；2）然后通过等离子工艺沉积微晶硅n层；3）最后通过等离子工艺沉积微晶硅基电池。本发明的优点和积极效果：本方法通过氢等离子体处理电池非晶硅n层表面氧化物，然后沉积微晶N和微晶硅底电池，在不需要额外引入其它气体情况下，可以拓宽电池的吸收光谱，获得高的开路电压，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101697363B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910071050.8
申请日：2009-10-30
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口 层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
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