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公开(公告)号：CN102931068A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210482786.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种锗基MOSFET栅介质的制备方法，包括：步骤1：清洗锗衬底表面；步骤2：在清洗后的锗衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用氧等离子体处理所述沉积了阻挡层的锗衬底表面，在阻挡层与锗衬底的界面处形成二氧化锗层；步骤4：在氧等离子体氧化后的锗衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。利用本发明，可以将锗基MOSFET的等效氧化层厚度降低到1纳米以下，从而有效提高了锗基MOSFET的性能。
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公开(公告)号：CN118198140A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410308974.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/461
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极分别与有源层电连接。本发明提供的薄膜晶体管能够在光偏置应力、温度波动等不利因素下保持高可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117936373A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097488.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制反应腔中的沟槽型半导体衬底和等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，电场筛的电场为施加到反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对反应腔施加电场筛的电场和微波的输入功率，利用沟槽型半导体衬底加热的方式，对中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。
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公开(公告)号：CN117894851A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410042066.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极接触孔内；源极，通过源极阻挡层与沟道层间隔设置；漏极，通过漏极阻挡层与沟道层间隔设置。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN111370578B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010205183.6
申请日：2020-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且该有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层未被有机薄膜层覆盖的部分直接暴露于空气中；以及源漏金属层，叠置在背栅介质层之上，并设置于有机薄膜层和单壁碳纳米管沟道层的两侧。本发明提供的该仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，相比传统晶体管器件，具有含时变化的特性，在特定输入条件下可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合超低功耗电路应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111413569B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010336344.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种基于驻极体发电机的放电测试装置及其测试方法，基于驻极体发电机的放电测试装置包括：驻极体发电机，用于输出高压直流脉冲；冲击电容，与驻极体发电机连接形成充电回路；测试平台，用于连接一被测器件；火花间隙，与测试平台、冲击电容连接形成放电回路，用于产生稳定波形的浪涌；其中，在测试过程中，通过冲击电容和火花间隙对驻极体发电机输出的高压直流脉冲进行调控，对被测器件提供模拟静电放电测试条件。本发明采用驻极体发电机供电并利用火花间隙击穿模拟自然界中静电对被测器件的释放的情况，用以检测被测器件的可靠性及失效分析。
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公开(公告)号：CN109818520B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910236299.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02N1/04
Abstract: 一种腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统，腔式多层膜驻极体发电机结构，包括：弹性矩形腔体，外部为一长方体结构，内部形成一空腔；压力承接板，位于该弹性矩形腔体上表面；以及驻极体多层膜结构，位于该弹性矩形腔体的空腔中并贴附于内部底面之上，与内部上壁之间存在间隙；该驻极体多层膜结构包含：电极层；高分子绝缘复合膜，包覆于电极层的外围，该高分子绝缘复合膜由内而外分别为：驻极体内芯层及静电绝缘外封层，该静电绝缘外封层与驻极体内芯层的带表面电荷面贴附。该发电机结构兼具良好的环境适应性和较高的单次能量收集效率。该发电机结构的电学输出经过整流模块和降压模块处理后进行供能，具有高稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN111079317A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010075961.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，其中，该优化方法包括：基于表面势计算，建立高电子迁移率器件模型；建立栅电流模块；结合高电子迁移率器件模型的内部模块对栅电流模块进行分段近似和拟合；以及，在栅漏电模型中加入变温反馈模块，并与所述高电子迁移率器件模型相对接。本发明提供的该栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，实现了对不同栅漏电机制的数学整合，能够在兼顾物理意义和准确性的前提下对器件栅漏电机制进行有效的拟合；同时其变温函数的引入也使得模型对变温的预测性更加准确。
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公开(公告)号：CN106298947B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610890501.0
申请日：2016-10-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管，涉及半导体集成电路制造技术领域。本发明所述的场效应晶体管包括底栅电极、底栅介质层、底栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、高掺杂P型GaAs层、欧姆接触层、源漏金属电极、顶栅介质层、顶栅电极，其中源漏金属电极位于欧姆接触层两侧，在源漏金属电极中间刻蚀栅槽结构至界面控制层上表面，并将顶栅介质层均匀覆盖在栅槽结构内表面，最后将顶栅电极制备在顶栅介质层上。本发明利用双栅结构和界面控制层设计，实现了PMOS场效应晶体管更好的栅控功能和低界面态密度，能够满足高性能PMOS管的技术要求。
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公开(公告)号：CN109283298B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811349529.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
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