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发明公开
薄膜晶体管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117894851A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410042066.0

申请日：2024-01-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 胡顺东 , 尤楠楠 , 王盛凯 , 李泠 , 王嘉义 , 徐杨

IPC: H01L29/786 , H01L21/34

Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极接触孔内；源极，通过源极阻挡层与沟道层间隔设置；漏极，通过漏极阻挡层与沟道层间隔设置。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。

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