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公开(公告)号：CN101740501B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN101740662B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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公开(公告)号：CN101958331A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010234867.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。
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公开(公告)号：CN119028900A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411147816.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗腐蚀用夹具，属于芯片加工技术领域，包括样品槽、限位槽、晃动手柄、可移动卡扣、限位栓、固定挂钩。所述样品槽为四边形，内有一个四边形空心区域，用来防止晶圆浸入液体后产生吸力而不便取出；所述两个限位槽位于样品槽邻近两边，用来固定晶圆边缘；所述晃动手柄与样品槽相连；所述可移动卡扣所述可移动卡扣限定在晃动手柄上，施加一定推力后可上下移动，可调节位置来固定晶圆；所述限位栓固定在可移动卡扣上，用来精准固定晶圆位置；所述固定挂钩与晃动手柄相连；所述夹具由耐化学腐蚀的材料聚四氟乙烯制成。利用本发明进行晶圆清洗腐蚀，不仅能非常牢固地夹持晶圆，使其在清洗腐蚀和转移过程中均操作方便；而且尾部有挂钩设计，闲置时可将其悬挂在夹具架上，避免污染，清洗腐蚀过程中需要静置时亦可将其挂在烧杯壁。
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公开(公告)号：CN110707528A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910850364.1
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器。本发明中，由解理形成的腔面和一阶光子晶体形成的布拉格反射器构成了一个谐振腔，靠近解理腔面一侧有若干个空气狭缝构成的耦合光栅。当解理腔面与布拉格反射器构成的谐振腔与有源光子晶体产生共振时，形成耦合腔，并且反射器对于该耦合模式提供一定的相位补偿以满足谐振腔的相位条件，该耦合模式通过光栅耦合器向自由空间辐射。通过调节耦合光栅的几何结构，可以控制激光器的辐射效率。该器件最大的优点是：该谐振腔结构能独立控制模式选择与辐射效率，器件的尺寸不再受到模式选择的限制。所获得的输出功率高，功率效率高，温度性能好，远场光斑发散角小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110707527A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910850276.1
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器。其特征在于：所述的含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器整体采用金属-金属波导结构，激光器包括种子激光区和天线耦合器。种子激光区采用掩埋式一级分布反馈式光栅，天线耦合器采用相互正交的半波槽孔天线组成阵列。种子激光区产生太赫兹种子光源并将光耦合进入天线耦合器，天线耦合器使太赫兹激光倾斜出射，同时调节激光的偏振态至圆偏振态。本发明实现了含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器，属于单片集成器件，适应于更复杂的工作环境。
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公开(公告)号：CN107907812A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710950103.8
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法。先将碲镉汞红外焦平面探测器中的碲镉汞红外光敏芯片与读出电路用切割的方式进行分离，通过宝石电极基板对碲镉汞红外光敏芯片进行电流电压测试；保护不需要观测的结构，对碲镉汞红外焦平面探测器的衬底去除后露出碲镉汞表面，用配制的腐蚀液逐层腐蚀碲镉汞，观察碲镉汞结区、钝化层及倒焊等界面，与焦平面测试结果和电流电压测试结果进行对比，获取器件失效的工艺原因。采用该方法可以对成型后的碲镉汞红外焦平面探测器的性能失效进行逆向工艺分析，对碲镉汞进行逐层腐蚀逐层观测，定位失效的工艺原因，从而改进工艺，进一步提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN106784133A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611059411.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。
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公开(公告)号：CN103762274B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410021010.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种去除铟表面氧化层的方法。该技术方案具体包括：清洗等离子体腔体和等离子体处理两步。该方法的优点在于不仅能够去除表面氧化层而且能够有效地防止铟的新鲜表面被再次氧化。
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公开(公告)号：CN104752243A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145228.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及批量加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。此外，数十片或数百片批量的倒装回熔焊有效地提高了生产效率。
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