公开(公告)号：CN101958331A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010234867.5

申请日：2010-07-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  胡伟达 ,  殷建军 ,  吴廷琪 ,  晨昱 ,  邢雯 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。

公开(公告)号：CN101958331B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201010234867.5

申请日：2010-07-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 叶振华 ,  胡伟达 ,  殷建军 ,  吴廷琪 ,  晨昱 ,  邢雯 ,  林春 ,  胡晓宁 ,  丁瑞军 ,  何力

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型碲镉汞(HgCdTe)红外中波(mid-wavelength)光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在HgCdTe薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入n+-on-p型HgCdTe红外中波光伏探测芯片的结构方案，有效解决了传统HgCdTe红外焦平面列阵中波光伏探测芯片存在表层物理特性不理想而引起的光敏感元二极管动态阻抗和探测性能下降的问题。本发明具有结构工艺简单和集成度高的特点。