-
公开(公告)号：CN111534797A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010448802.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种超高真空束源炉坩埚除气装置，该装置包括：在真空腔室上通过第一刀口法兰与真空规管上的第五刀口法兰连接，通过第二刀口法兰与闸板阀上的第六刀口法兰连接，通过第三和第四刀口法兰分别安装2台束源炉上的第九刀口法兰连接。在闸板阀上通过第七刀口法兰与真空泵上的第八刀口法兰连接。该装置结构简单，在暴露大气后能快速恢复到超高真空度，束源炉装卸简单，极大地提高了束源炉坩埚除气的工作效率。
-
公开(公告)号：CN110690647A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910850362.2
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种含有高效率衍射光栅的单模太赫兹量子级联激光器。其特征在于：所述的含有高效率衍射光栅的太赫兹量子级联激光器整体采用金属-金属波导结构，包括种子激光区、锥形放大区、光栅耦合器。种子激光区采用掩埋式一级分布反馈式光栅结构，锥形放大区采用金属-金属波导结构，光栅耦合器采用高效率衍射光栅结构。种子激光区产生太赫兹种子光源，锥形放大区放大太赫兹光并耦合进高效率衍射光栅耦合器中，高效率衍射光栅耦合器使太赫兹光在其中传播时强度不衰减，稳定持续地使太赫兹光倾斜出射，获得高功率、高效率、窄线宽、准直性好、高边模抑制比的太赫兹激光。
-
公开(公告)号：CN109244822A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811292367.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法。本发明采用光栅耦合器及吸收边界制作了激光器与两个不同长度的放大器的单片集成结构，通过测量激光在两个放大器中传播后耦合出射的功率，结合激光在放大器中的传播规律从而获得增益或损耗。该方法可以获得双金属波导太赫兹量子级联激光器增益随偏压的变化关系，并具有光谱分辨特征。该方法最大的优点是：充分抑制了放大器的自激振荡，突破了增益钳制效应，可以测得双金属波导的最大增益。
-
公开(公告)号：CN106024982A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610538918.0
申请日：2016-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/7688 , H01L21/76895 , H01L2221/1068
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致性好，顶部一致性平整的塔形铟柱阵列，占空比小，可避免在倒焊互连时像元由于铟柱形变而短路，进而降低红外焦平面探测器芯片盲元率和非均匀性；本发明适用于碲镉汞红外焦平面探测器平面结的铟柱制备，也适用于III‑V族红外焦平面探测器台面结的铟柱制备，对与探测器芯片配套的集成电路也适用，普适性好。
-
公开(公告)号：CN105514189A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610020793.2
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0304 , H01L31/02366 , H01L31/03046 , H01L31/184 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为GaAsxSb1-x层和InAs层。与传统的II类超晶格结构相比，其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)原有的四层结构生长模式(InAs/InSb/GaSb/InSb)被两层结构生长模式(InAs/GaAsSb)替代，结构更加简单,更有利于实现高质量超晶格的生长；(3)InAs层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112968345B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110003179.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 上海交通大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；所述的反射膜由多对1/4波长厚度的ZnS和YbF3膜层构成，且所述的YbF3膜层与所述InAs/GaSb超晶格相接。本发明不仅具有宽带的中红外工作范围，且具有皮实、稳定可靠、参数可调等优良特性，为中红外超快锁模激光器的发展铺平了道路。
-
公开(公告)号：CN110707528A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910850364.1
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器。本发明中，由解理形成的腔面和一阶光子晶体形成的布拉格反射器构成了一个谐振腔，靠近解理腔面一侧有若干个空气狭缝构成的耦合光栅。当解理腔面与布拉格反射器构成的谐振腔与有源光子晶体产生共振时，形成耦合腔，并且反射器对于该耦合模式提供一定的相位补偿以满足谐振腔的相位条件，该耦合模式通过光栅耦合器向自由空间辐射。通过调节耦合光栅的几何结构，可以控制激光器的辐射效率。该器件最大的优点是：该谐振腔结构能独立控制模式选择与辐射效率，器件的尺寸不再受到模式选择的限制。所获得的输出功率高，功率效率高，温度性能好，远场光斑发散角小。
-
公开(公告)号：CN110707527A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910850276.1
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器。其特征在于：所述的含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器整体采用金属-金属波导结构，激光器包括种子激光区和天线耦合器。种子激光区采用掩埋式一级分布反馈式光栅，天线耦合器采用相互正交的半波槽孔天线组成阵列。种子激光区产生太赫兹种子光源并将光耦合进入天线耦合器，天线耦合器使太赫兹激光倾斜出射，同时调节激光的偏振态至圆偏振态。本发明实现了含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器，属于单片集成器件，适应于更复杂的工作环境。
-
公开(公告)号：CN103500765A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310470180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/0735
Abstract: 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。
-
公开(公告)号：CN111534797B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010448802.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种超高真空束源炉坩埚除气装置，该装置包括：在真空腔室上通过第一刀口法兰与真空规管上的第五刀口法兰连接，通过第二刀口法兰与闸板阀上的第六刀口法兰连接，通过第三和第四刀口法兰分别安装2台束源炉上的第九刀口法兰连接。在闸板阀上通过第七刀口法兰与真空泵上的第八刀口法兰连接。该装置结构简单，在暴露大气后能快速恢复到超高真空度，束源炉装卸简单，极大地提高了束源炉坩埚除气的工作效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.036 seconds)
