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公开(公告)号：CN208298826U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201721488639.4
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/8222
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件，其包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本实用新型分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209119101U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821777206.5
申请日：2018-10-31
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种利用可控硅双门极与阳极短路结构的单向负阻TVS器件，包括一个P型衬底材料，P型衬底材料正面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，P型衬底材料正面的N型掺杂区域做金属引出；P型衬底材料背面有N型掺杂区域和P型掺杂区域，N型掺杂区域中有P+区域，背面的P型掺杂区域、P型衬底材料、N型掺杂区域和P+区域做互连金属引出；所述P+区域位置全部或部分在背面N型掺杂区域中。本实用新型的器件结构正面到背面利用NPN结构进行电荷泄放，对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能；背面到正面利用PPN并联P+NPN结构，获得更好地正向残压的表现，对后端OVP电路起到更好地保护效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208781853U
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201821183328.1
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型公开了一种带负阻特性的单向瞬态电压抑制二极管器件，包括：第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。本实用新型通过背面深槽后氧化工艺，将背面容易发生短路的位置保护起来，降低了风险，能够改善表面状态，使得击穿发生在硅的体内，提高稳定性和可靠性，该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和功耗优势明显。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208722877U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201821258225.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本实用新型通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208400853U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821258829.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208093558U
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201820078833.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本实用新型的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化为集成方案，节省50％的面积；共模电感具有较高的共模阻抗，对高速信号线差分通道的共模噪声干扰具有很强的抑制作用，同时，超低电容和大骤回特性的TVS阵列在ESD触发TVS开通时，可以输出更低的钳位电压，对后级IC起到非常好的保护作用，可广泛应用在MIPI，HDMI，MHL，USB等高频信号端口，提高系统的外延抗干扰能力和ESD静电防护水平。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207602520U
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201721500424.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本实用新型公开了一种高功率密度TVS器件，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本实用新型两个芯片通过设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进一步强化键合强度，从而实现大功率密度TVS器件，满足户外更高浪涌能量的冲击要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206992113U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720658039.1
申请日：2017-06-07
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种梯形沟槽隔离的低容TVS器件结构，该集成型的半导体保护器件包括由衬底材料、外延层、N型掺杂和P型掺杂构成的半导体主体，其不同掺杂浓度构成的瞬态抑制二极管TVS和开关管均为纵向结构，其中TVS面积决定器件的通流能力，开关管决定器件的电容能力。器件有效区域与侧面结的隔离使用沟槽隔离，所涉及的深槽设计为梯形，可以灵活调控TVS和开关管的面积配比，梯形的角度决定了两种不同器件面积差的大小，从而获得大通流能力和低电容的保护器件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206022373U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201620950135.9
申请日：2016-08-27
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型双向电压完全对称带有超深沟槽超低漏电的TVS器件，设有延至重掺杂P型硅衬底的超深隔离沟槽，由超深隔离沟槽将器件分隔出二个结构相同的TVS器件区，每器件区外延层上方有N型掺杂区，在N型掺杂区内和外延层上方并列P型掺杂区，分别构成P+/N+结一、二Z1、Z2和P+/N-结一、二D1、D2，IO1接口连接Z1和D2，IO2接口连接D1和Z2，当接口IO1加电压时，P+/N-结二D2与P+/N+结一Z1都为正向导通状态，但由于N-外延浓度低，Z2较D1先导通，此时TVS的击穿电压为Z2所承受的反向耐压；反之接口IO2加电压时，Z1先导通，即工作的TVS都是用Z1、Z2，双向击穿电压完全对称。
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公开(公告)号：CN211208450U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921699866.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型提出了一种具有低触发电压的TVS器件，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极，本实用新型能够降低器件的触发电压，同时保持了其导通电阻极低的特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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