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公开(公告)号：CN102262698A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110212576.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种太阳电池制造技术领域的基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法，根据非晶硅内态密度分布的原始数据建立非晶硅层中的缺陷态分布模型用于计算陷入缺陷态中的电荷，得到修正泊松方程并进一步求出空间电荷区和内建电场的变化，实现基于缺陷态密度对HIT电池性能的影响评估，从而求得最优化的缺陷态密度，用于设置工艺生产中的钝化与清洗操作。与现有技术相比，本发明可靠性高且更加全面。
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公开(公告)号：CN102126724A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110080372.6
申请日：2011-03-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
Abstract: 一种纳米材料制备技术领域的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，通过首先对硅片进行湿化学清洗，然后在含有氢氟酸和硝酸银的混合溶液中利用无电化学沉积法在硅片表面沉积银纳米颗粒层，经含有氢氟酸和双氧水的混合溶液进行化学刻蚀，最后用硝酸去除银纳米颗粒得到硅纳米线阵列。本发明通过在化学刻蚀体系中简单调节氧化剂双氧水的浓度和刻蚀时间而实现了长度可控的光滑表面硅纳米线的制备，从而解决了在金属辅助化学刻蚀中制备表面缺陷较少硅纳米线的技术难题。
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公开(公告)号：CN101697365B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910309228.8
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体技术领域的谐振增强远红外探测器的制备方法，包括：确定要生长的探测器类型和反射镜的结构：探测器的类型是同质结内光发射探测器，顶部反射镜是由空气与探测器形成的界面，而底部反射镜是在远红外波段反射率高且相位匹配的反射镜；利用菲涅尔系数矩阵和介电函数模型，通过数值计算得到腔体内的量子效率，通过使谐振腔内的量子效率最大化，得到优化的探测器和底部反射镜的结构参数和材料参数；根据得到优化的参数，用分子束外延法生长谐振增强远红外探测器。本发明克服远红外探测器的量子效率普遍偏低的不足，大大得提高该探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN101299434B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810039185.1
申请日：2008-06-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金-宽带隙半导体-窄带隙半导体-宽带隙半导体-金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双光子无源上转换，确定宽带隙半导体和窄带隙半导体的材料结构参数；(2)用分子束外延方法先生长无源上转换半导体器件结构，然后在器件结构上下表面分别沉积金膜，即可得到双光子无源红外上转换成像器件。本发明可对波长达几个微米的红外光进行无源上转换成像，大大降低了红外探测成像的成本，而且工艺简单，应用方便。
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公开(公告)号：CN101629927A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910056327.X
申请日：2009-08-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种传感器技术领域的多孔氧化铝膜湿敏传感器的制备方法，包括：配制混合电解液；将铝片进行溶剂浸泡处理后采用强氧化抛光液在恒压条件下进行电化学抛光；将圆形铝片进行腐蚀处理后，经去膜处理后进行二次腐蚀处理；将若干多孔氧化铝膜置于磷酸溶液中分别进行化学浸蚀处理，得到若干不同孔径结构的氧化铝膜；在不同孔径结构的氧化铝膜的正面溅射Au膜，通过两根细铜丝分别引出两个电极，制成多孔氧化铝膜湿敏传感器。本发明利用在高场下的磷酸溶液中制备多孔氧化铝膜，缩短了湿敏传感器响应回复时间，在一定湿度区域的灵敏度得到大大提高。这为获得高性能氧化铝湿敏传感器提供了一种有效的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421215C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510027929.4
申请日：2005-07-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2-4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN100414287C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200410017195.7
申请日：2004-03-25
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法，用于半导体材料领域。本发明用红外光谱仪以垂直入射的方式测得间接带隙半导体材料的透射光谱，采用完整吸收系数公式，使得电子本征跃迁和向Urbach带尾的跃迁很好地衔接，并结合透射率公式，对实验结果进行拟合，从而获得透射率、吸收系数、带尾参数、跃迁几率各参数的值。本发明从根本上改善了传统的间接半导体吸收光谱的拟合在吸收边附近存在较大偏差的根源，使得计算出的透射率曲线总偏差减小到传统方案的50%以下。其优越性已在对具体实验结果的拟合中得到充分体现。本发明可以广泛用于各种间接半导体材料的分析研究，并将对相关的器件设计起到指导性作用。
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公开(公告)号：CN1986912A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610119251.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。
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公开(公告)号：CN1515226A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03150615.1
申请日：2003-08-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种SARS疑似病人远程会诊系统，属于计算机网络和图像处理领域。本发明包括：发热门诊端和会诊专家端，发热门诊端和会诊专家端通过光纤、ADSL、ISDN或Modem、普通电话线方式进行网络连接，发热门诊端把病人的相关信息传输给会诊专家端，专家再把经过处理的诊断结果传输给发热门诊端，整个诊断活动集成在一个工作流系统中完成。本发明系统实现了远程对摄像机云台的位姿和镜头聚焦的调节来进行SARS疑似病人的远程摄像观察；具有图象处理功能使医生和专家更清晰和更准确地分析SARS疑似病人的X光或CT图象；能从具有数字接口的X光机或CT中读取SARS疑似病人的肺部医学影像并转化成普通微机能显示和处理的图象格式，能够有效地防止“非典”扩散和医务人员的感染。
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公开(公告)号：CN1424573A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN03114762.3
申请日：2003-01-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法属于半导体材料应用领域。本发明的方法为：测量多晶硅太阳能电池在红外至可见光波段范围内的透射光谱；用理论透射率公式拟合实验结果，得到多晶硅太阳能电池的带尾能量等物理参数；实验测量多晶硅太阳能电池的转换效率η，并将其与不同多晶硅太阳能电池样品带尾能量EU结合，得到两者之间的线性关系式；本发明可以在免去制作测量引线的情况下直接得到多晶硅太阳能电池的转换效率，还可以得到可靠的多晶硅太阳能电池的微观参数用以指导工艺的改进，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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