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公开(公告)号：CN103178150A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310079737.2
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种天线耦合太赫兹探测器，其包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器；所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面，所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接，所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面；所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下，向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚，所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。本发明提供的太赫兹天线通过够汇聚太赫兹电磁波，提高了本发明的探测性能以及工作温度，并且本发明生产工艺较简单。
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公开(公告)号：CN110581123A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810585764.X
申请日：2018-06-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供了一种新型光子频率上转换器件与方法，所述器件包括近红外光电探测器(1)、发光二极管(2)和渐变层(3)，所述渐变层(3)位于近红外光电探测器(1)和发光二极管(2)之间；所述渐变层(3)用于克服所述近红外光电探测器(1)和所述发光二极管(2)之间晶格失配的影响；所述方法可以一次性直接外业生长得到整个光子频率双转换器件，无需晶片键合步骤，使所述光子上转换器件结构紧凑，大大简化了制备工艺，降低了成本，提高了上转换效率。
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公开(公告)号：CN102832289B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210287273.X
申请日：2012-08-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/16
Abstract: 本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件，包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件，其中，太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。其所要解决的技术问题是提供一种无像元太赫兹成像器件。它基于红外光子频率上转换的原理，将红外光信号转换为近红外光子，然后利用硅基成像器件实现探测和成像，这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。
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公开(公告)号：CN101697365B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910309228.8
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体技术领域的谐振增强远红外探测器的制备方法，包括：确定要生长的探测器类型和反射镜的结构：探测器的类型是同质结内光发射探测器，顶部反射镜是由空气与探测器形成的界面，而底部反射镜是在远红外波段反射率高且相位匹配的反射镜；利用菲涅尔系数矩阵和介电函数模型，通过数值计算得到腔体内的量子效率，通过使谐振腔内的量子效率最大化，得到优化的探测器和底部反射镜的结构参数和材料参数；根据得到优化的参数，用分子束外延法生长谐振增强远红外探测器。本发明克服远红外探测器的量子效率普遍偏低的不足，大大得提高该探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN109148636A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810738268.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/173 , H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/173 , H01L31/1844
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子雪崩二极管的受光面相耦接。本发明的上转换单光子探测器探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便、使用简单，无需复杂的光学光路设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832289A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210287273.X
申请日：2012-08-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/16
Abstract: 本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件，包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件，其中，太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。其所要解决的技术问题是提供一种无像元太赫兹成像器件。它基于红外光子频率上转换的原理，将红外光信号转换为近红外光子，然后利用硅基成像器件实现探测和成像，这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。
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公开(公告)号：CN1412862A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150784.8
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L27/14 , G02B1/00 , G02B5/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法属于光电探测器领域。方法步骤如下：选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料；根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型，通过数值计算得到没有谐振腔时探测器腔体内的光吸收率；用同样的方法计算谐振腔增强的探测器腔体内的光吸收率，并优化底部反射镜的结构和材料参数；根据优化得到的参数，通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器，并测量其反射和透射光谱，验证这种制备的可行性。本发明制备出的反射镜可以应用在远红外波段，并可以通过MBE生长，生长质量得到保证，使得探测器腔体内的光吸收率大大增强，从而提高了探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN103178150B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310079737.2
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种天线耦合太赫兹探测器，其包括太赫兹天线、第一半导体衬底、第二半导体衬底以及半导体量子阱结构太赫兹探测器；所述太赫兹天线设置在所述第一半导体衬底上表面，所述第一半导体衬底下表面与第二半导体衬底的上表面连接，所述半导体量子阱结构太赫兹探测器设置在所述第二半导体衬底的底面；所述太赫兹天线是太赫兹光的感光面,入射的太赫兹电磁波在所述太赫兹天线的作用下，向所述半导体量子阱太赫兹探测器件所在位置汇聚，所述半导体量子阱太赫兹探测器件接收并分析经所述太赫兹天线汇聚的太赫兹电磁波。本发明提供的太赫兹天线通过够汇聚太赫兹电磁波，提高了本发明的探测性能以及工作温度，并且本发明生产工艺较简单。
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公开(公告)号：CN1167136C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02150784.8
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法属于光电探测器领域。方法步骤如下：选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料；根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型，通过数值计算得到没有谐振腔时探测器腔体内的光吸收率；用同样的方法计算谐振腔增强的探测器腔体内的光吸收率，并优化底部反射镜的结构和材料参数；根据优化得到的参数，通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器，并测量其反射和透射光谱，验证这种制备的可行性。本发明制备出的反射镜可以应用在远红外波段，并可以通过MBE生长，生长质量得到保证，使得探测器腔体内的光吸收率大大增强，从而提高了探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN1412860A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150783.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0232 , G01J1/02
Abstract: 一种谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜属于光电探测器领域。本发明提供了一种采用分子束外延生长制备的远红外探测器的反射镜。顶部反射镜由探测器与空气形成的界面形成。底部反射镜由底部电极层和它下面的多周期的非掺杂/掺杂的砷化镓层共同组成，本发明具有实质性特点和显著进步，可以通过分子束外延生长制备，具有很好的样品质量，可以应用到远红外波段，而且大大提供探测器的量子效率。
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