-
公开(公告)号：CN100421215C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510027929.4
申请日：2005-07-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2-4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。
-
公开(公告)号：CN116019826A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310021832.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 上海交通大学医学院附属瑞金医院
IPC: A61K31/7088 , A61P35/00 , A61P15/14
Abstract: 本发明涉及circANKRD17在制备抑制乳腺癌糖酵解药物中的应用。本发明发现circANKRD17促进了乳腺癌的糖酵解进程。因此，circANKRD17可以作为乳腺癌新的治疗靶点，为抑制乳腺癌糖酵解药物的开发提供了参考。
-
公开(公告)号：CN100442443C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510029498.5
申请日：2005-09-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。本发明在工艺成熟的单晶硅衬底上生长出的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜有利于制作高性能器件和大规模集成电路，所制备的氢化纳米硅薄膜具有很好的电学性能，并具有高电子迁移率(达到103cm2/Vs量级)和高电导率(在5.7-109.8Ω-1cm-1范围内)等优点。
-
公开(公告)号：CN1737997A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510027929.4
申请日：2005-07-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2－4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112904017B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110069353.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明公开了一种基于共价连接的已知分子与蛋白质相互作用检测系统及其鉴定或验证方法，所述检测系统包括：a)链霉亲和素‑短肽四聚体；b)PafA酶；c)生物素修饰的已知分子。本发明采用生物素标记已知分子，已知分子与蛋白质发生相互作用后，通过链霉亲和素‑短肽四聚体在温和的条件下高效地捕获已知分子的相互作用蛋白质，再在PafA酶的催化下，将短肽与已知分子的相互作蛋白质共价连接，从而将相互作用的已知分子与蛋白质之间的非共价结合转换为链霉亲和素与蛋白质之间的共价连接，从而进行分析，分离和鉴定。本方法可以在保持已知分子天然结构的基础上，实现弱相互作用和瞬时相互作用的捕获，可以用于已知分子与相互作用蛋白质的验证和发现。
-
公开(公告)号：CN112904017A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110069353.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明公开了一种基于共价连接的已知分子与蛋白质相互作用检测系统及其鉴定或验证方法，所述检测系统包括：a)链霉亲和素‑短肽四聚体；b)PafA酶；c)生物素修饰的已知分子。本发明采用生物素标记已知分子，已知分子与蛋白质发生相互作用后，通过链霉亲和素‑短肽四聚体在温和的条件下高效地捕获已知分子的相互作用蛋白质，再在PafA酶的催化下，将短肽与已知分子的相互作蛋白质共价连接，从而将相互作用的已知分子与蛋白质之间的非共价结合转换为链霉亲和素与蛋白质之间的共价连接，从而进行分析，分离和鉴定。本方法可以在保持已知分子天然结构的基础上，实现弱相互作用和瞬时相互作用的捕获，可以用于已知分子与相互作用蛋白质的验证和发现。
-
公开(公告)号：CN1715871A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510027581.9
申请日：2005-07-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种有序纳米孔氧化铝模板光学常数的测试方法，利用二次电化学方法腐蚀高纯铝片生成的各种厚度和纳米孔径的有序纳米孔氧化铝模板，测量有序纳米孔氧化铝模板的透射光谱，通过修正过的四层介质模型拟合透射光谱中的干涉条纹，得出氧化铝模板的纳米孔深、阻碍层厚度以及随波长变化的折射率，利用吸收系数公式拟合透射光谱中接近带隙的吸收边，得出有序纳米孔氧化铝模板的能带的带隙和带尾。本发明有效地利用简单的光学方法，准确获取这些常数数值。
-
公开(公告)号：CN1737999A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510029498.5
申请日：2005-09-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。本发明在工艺成熟的单晶硅衬底上生长出的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜有利于制作高性能器件和大规模集成电路，所制备的氢化纳米硅薄膜具有很好的电学性能，并具有高电子迁移率(达到103cm2/Vs量级)和高电导率(在5.7－109.8Ω－1cm－1范围内)等优点。
-
公开(公告)号：CN213031132U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202021123287.4
申请日：2020-06-17
Applicant: 上海交通大学医学院附属新华医院崇明分院
IPC: A61G12/00
Abstract: 本实用新型公开了一种PICC置管维护车，包括箱体和水龙头，所述箱体的顶部开设有洗手池，所述洗手池的一侧固定安装有水龙头，所述洗手池的底部滑动连接有储物抽屉，所述储物抽屉的底部通过转轴活动连接有移动托架，所述移动托架的底部通过合页铰接有箱门。该PICC置管维护车，通过水龙头和洗手池的设置，可以在给患者进行维护前，先进行消毒，通过储物抽屉和放置圆槽的设置，可以使该装置放置维护相关的物品，方便医护人员给患者进行维护，通过移动托架、固定带和固定方孔的设置，可以在穿刺的过程中固定患者的手臂位置防止患者的手臂位置不佳或放置不稳定，造成穿刺失败，导致血管的破坏，可以降低病人的痛苦。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
