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公开(公告)号：CN101299434B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810039185.1
申请日：2008-06-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金-宽带隙半导体-窄带隙半导体-宽带隙半导体-金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双光子无源上转换，确定宽带隙半导体和窄带隙半导体的材料结构参数；(2)用分子束外延方法先生长无源上转换半导体器件结构，然后在器件结构上下表面分别沉积金膜，即可得到双光子无源红外上转换成像器件。本发明可对波长达几个微米的红外光进行无源上转换成像，大大降低了红外探测成像的成本，而且工艺简单，应用方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456503C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610117889.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到半导体远红外无像元上转换成像装置。本发明大大降低了探测成像的成本，可实现更长波长光的上转换成像。
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公开(公告)号：CN101299434A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039185.1
申请日：2008-06-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的双光子无源红外上转换成像器件制造方法。步骤如下：(1)确定双光子无源红外上转换成像器件为金属金－宽带隙半导体－窄带隙半导体－宽带隙半导体－金属金的结构，选择不同的半导体材料结构实现不同波长的双光子无源上转换，确定宽带隙半导体和窄带隙半导体的材料结构参数；(2)用分子束外延方法先生长无源上转换半导体器件结构，然后在器件结构上下表面分别沉积金膜，即可得到双光子无源红外上转换成像器件。本发明可对波长达几个微米的红外光进行无源上转换成像，大大降低了红外探测成像的成本，而且工艺简单，应用方便。
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公开(公告)号：CN100481528C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710041124.4
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外探测器，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。本发明提高了远红外上转换成像的效率，为成熟半导体远红外成像的普遍应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101079455A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041124.4
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外探测器，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。本发明提高了远红外上转换成像的效率，为成熟半导体远红外成像的普遍应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN1945859A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117889.7
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到半导体远红外无像元上转换成像装置。本发明大大降低了探测成像的成本，可实现更长波长光的上转换成像。
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