公开(公告)号：CN1737997A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510027929.4

申请日：2005-07-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  陈新义 ,  丁古巧 ,  陈红 ,  何宇亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

Abstract: 一种半导体材料领域的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2－4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。

公开(公告)号：CN100421215C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200510027929.4

申请日：2005-07-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  陈新义 ,  丁古巧 ,  陈红 ,  何宇亮

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

Abstract: 一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2-4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。