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公开(公告)号：CN104700896B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201410734008.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置。在一个实施例中，方法包括：接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求；确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括：如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息；控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
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公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN102543186B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110430447.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3459 , G11C2211/5641
Abstract: 一种负电压生成器包括：直流电压生成器，其被配置成生成直流电压；参考电压生成器，其被配置成生成参考电压；振荡器，其被配置成生成振荡时钟；电荷泵，其被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及电压检测器。该电压检测器被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对所述直流电压分压得到的。
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公开(公告)号：CN105097028A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239393.6
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C29/52 , G11C2013/0057
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104700896A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410734008.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置。在一个实施例中，方法包括：接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求；确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括：如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息；控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
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公开(公告)号：CN102034548B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010297753.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F11/1072 , G11C11/10
Abstract: 一种非易失性存储器包括多个N位多电平单元(MLC)存储单元和控制器。所述多个N位MLC存储单元用于存储N页数据，每个MLC存储单元可编程为2N个阈值电压分布中的任一个，其中N是正数。所述控制器被配置成将N页数据编程到MLC存储单元，并且进行部分插入处理，在所述部分插入处理中N页数据被划分为M个页组，其中M是正数且每个页组包括N页数据中的至少之一，并且其中M页组中的每一个被应用于纠错码(ECC)电路以对相应M个页组生成奇偶校验位，其中M个组中的每组内的页当中的误码率(BER)被所述部分插入处理均衡。
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公开(公告)号：CN101727977B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910174045.X
申请日：2009-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3427 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 一种闪存装置，包括第一存储单元串和第二存储单元串，该第一存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，该第二存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管。所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。在一些实施例中，第一存储单元串的第一伪存储单元和第二存储单元串的第二伪存储单元可具有比预定电压大的阈值电压，并且第一存储单元串的第二伪存储单元和第二存储单元串的第一伪存储单元可具有比预定电压小的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101154445B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200710100908.X
申请日：2007-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3427 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。
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