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公开(公告)号：CN101727977A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910174045.X
申请日：2009-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3427 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 一种闪存装置，包括第一存储单元串和第二存储单元串，该第一存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，该第二存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管。所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。在一些实施例中，第一存储单元串的第一伪存储单元和第二存储单元串的第二伪存储单元可具有比预定电压大的阈值电压，并且第一存储单元串的第二伪存储单元和第二存储单元串的第一伪存储单元可具有比预定电压小的阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101290933A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810125814.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/7436
Abstract: 一种包括输入/输出端结构和电流放电结构的静电放电(ESD)保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区，形成在该导电区下面的阱区，通过另一个导电区与该阱区分离的另一个阱区，和通过另一个阱区实施双电流放电路径的多个附加的导电区。
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公开(公告)号：CN101625896B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN200910158752.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/20
Abstract: 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。
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公开(公告)号：CN101727977B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910174045.X
申请日：2009-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3427 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 一种闪存装置，包括第一存储单元串和第二存储单元串，该第一存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，该第二存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管。所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。在一些实施例中，第一存储单元串的第一伪存储单元和第二存储单元串的第二伪存储单元可具有比预定电压大的阈值电压，并且第一存储单元串的第二伪存储单元和第二存储单元串的第一伪存储单元可具有比预定电压小的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101290933B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810125814.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/7436
Abstract: 一种包括输入/输出端结构和电流放电结构的静电放电(ESD)保护装置。该电流放电结构包括通过栅极电极与桥接区分离的导电区，形成在该导电区下面的阱区，通过另一个导电区与该阱区分离的另一个阱区，和通过另一个阱区实施双电流放电路径的多个附加的导电区。
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公开(公告)号：CN101625896A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158752.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/20
Abstract: 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。
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