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公开(公告)号：CN103578523A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310311596.2
申请日：2013-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C16/06
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C11/5642 , G11C16/00 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3431 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/44
Abstract: 本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列；以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元，该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。
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公开(公告)号：CN105097028A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239393.6
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C29/52 , G11C2013/0057
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。
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公开(公告)号：CN102737717A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210102111.4
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/24 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。
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公开(公告)号：CN111933615A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010736608.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供了具有接触插塞的半导体器件。一种半导体器件包括合并的接触插塞。具有N个子鳍的多鳍有源区形成在基板中。杂质区域形成在子鳍上。具有比多鳍有源区小的水平宽度的接触插塞形成在杂质区域中。N是在约八(8)至约一千(1000)的范围内的整数。N个子鳍包括形成在多鳍有源区的最外部中的第一子鳍和靠近第一子鳍形成的第二子鳍。垂直于基板的表面并穿过接触插塞的虚拟底边缘的直线设置在第一子鳍和第二子鳍之间，或者穿过第二子鳍。接触插塞的虚拟底边缘限定在接触插塞的侧表面上延伸的相关线和与接触插塞的最下端接触且平行于基板的表面的水平线的交叉点处。
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公开(公告)号：CN106129039B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201610289131.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供了具有接触插塞的半导体器件。一种半导体器件包括合并的接触插塞。具有N个子鳍的多鳍有源区形成在基板中。杂质区域形成在子鳍上。具有比多鳍有源区小的水平宽度的接触插塞形成在杂质区域中。N是在约八(8)至约一千(1000)的范围内的整数。N个子鳍包括形成在多鳍有源区的最外部中的第一子鳍和靠近第一子鳍形成的第二子鳍。垂直于基板的表面并穿过接触插塞的虚拟底边缘的直线设置在第一子鳍和第二子鳍之间，或者穿过第二子鳍。接触插塞的虚拟底边缘限定在接触插塞的侧表面上延伸的相关线和与接触插塞的最下端接触且平行于基板的表面的水平线的交叉点处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578523B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201310311596.2
申请日：2013-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C16/06
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C11/5642 , G11C16/00 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3431 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/44
Abstract: 本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列；以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元，该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。
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公开(公告)号：CN111933615B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010736608.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L29/10 , H01L27/088
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公开(公告)号：CN106129039A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610289131.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供了具有接触插塞的半导体器件。一种半导体器件包括合并的接触插塞。具有N个子鳍的多鳍有源区形成在基板中。杂质区域形成在子鳍上。具有比多鳍有源区小的水平宽度的接触插塞形成在杂质区域中。N是在约八(8)至约一千(1000)的范围内的整数。N个子鳍包括形成在多鳍有源区的最外部中的第一子鳍和靠近第一子鳍形成的第二子鳍。垂直于基板的表面并穿过接触插塞的虚拟底边缘的直线设置在第一子鳍和第二子鳍之间，或者穿过第二子鳍。接触插塞的虚拟底边缘限定在接触插塞的侧表面上延伸的相关线和与接触插塞的最下端接触且平行于基板的表面的水平线的交叉点处。
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公开(公告)号：CN102737717B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210102111.4
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/24 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。
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