公开(公告)号：CN107342291B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201710122841.3

申请日：2017-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄喆珍 ,  任琫淳 ,  朴起台

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括基板、在基板上的存储单元阵列、多个结合焊盘和焊盘电路。存储单元阵列包括沿竖直方向堆叠在基板上的多个栅极导电层以及贯穿在基板的上部上的所述多个栅极导电层的多个沟道。所述多个结合焊盘在存储单元阵列的上部的至少一部分上。所述多个结合焊盘被构造成使非易失性存储装置电连接到外部装置。焊盘电路在基板和存储单元阵列之间。焊盘电路电连接到所述多个结合焊盘中的至少一个。

公开(公告)号：CN110070900B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910348259.8

申请日：2014-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

公开(公告)号：CN104637535B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201410643554.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

公开(公告)号：CN104282337B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。

公开(公告)号：CN103151069B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201210520121.X

申请日：2012-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  韩真晚

IPC: G11C11/4063 ,  G11C29/42

CPC classification number: G06F11/1068 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1072 ,  G11C29/52

Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN107393588A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710611341.6

申请日：2014-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

公开(公告)号：CN103093818B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201210436459.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  朴起台 ,  尹翔镛 ,  韩真晚

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F11/1016 ,  G06F11/08 ,  G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  H03M13/151 ,  H03M13/1525 ,  H03M13/1545

Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。

公开(公告)号：CN102479550B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201110382310.0

申请日：2011-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  朴起台 ,  金甫根

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。

公开(公告)号：CN104637535A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410643554.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

公开(公告)号：CN104282337A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309432.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  沈烔教 ,  朴起台 ,  朴贤郁

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种存储设备的写方法包括：基于关于存储器件的存储单元的信息确定是否执行粗编程操作，响应于对将执行粗编程操作的确定，通过执行粗编程操作和细编程操作来在存储器件中对数据进行编程，以及响应于对将不执行粗编程操作的确定，通过执行细编程操作来在存储器件中对数据进行编程。