公开(公告)号：CN105097028B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201510239393.6

申请日：2015-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  郭东勋 ,  朴起台 ,  崔明勋 ,  韩承澈

IPC: G11C16/06

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。

公开(公告)号：CN105097028A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239393.6

申请日：2015-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  郭东勋 ,  朴起台 ,  崔明勋 ,  韩承澈

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/26 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/52 ,  G11C2013/0057

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。

公开(公告)号：CN107068186B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201611160159.5

申请日：2016-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊秀 ,  韩承澈 ,  黄相元

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G11C16/08

Abstract: 本公开提供了存储装置和操作存储装置的方法。在操作包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储装置的方法中，搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页，搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页，对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作，对第一存储器块执行擦除操作。

公开(公告)号：CN107068186A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611160159.5

申请日：2016-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊秀 ,  韩承澈 ,  黄相元

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0679 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/225 ,  G11C16/28 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/3436

Abstract: 本公开提供了存储装置和操作存储装置的方法。在操作包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储装置的方法中，搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页，搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页，对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作，对第一存储器块执行擦除操作。