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公开(公告)号：CN105632552A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
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公开(公告)号：CN102157204B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010622089.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN105518800B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201380077420.3
申请日：2013-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金甫根
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0688 , G06F11/1012 , G11C29/52 , G11C2029/0411
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置及其ECC方法，所述半导体存储器装置包括：第一非易失性存储器；第二非易失性存储器，具有与第一非易失性存储器的类型不同的类型；控制器；第一纠错电路，被构造成纠正在第一非易失性存储器进行编程的第一写数据的错误；和第二纠错电路，包括在控制器中并被构造成基于与第一纠错电路的纠错算法不同的纠错算法纠正第一写数据的错误或在第二非易失性存储器进行编程的第二写数据的错误。根据第一写数据的属性使用第一纠错电路和第二纠错电路中的一个产生用于纠正第一写数据的错误的纠错数据。
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公开(公告)号：CN116782433A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310180493.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包裹半导体制造设备的管道的加热套，包括：内壳，包裹管道的外周并具有绝热功能；加热线，布置在内壳的外部；真空绝热板(VIP)，包裹加热线的外部；以及外壳，包裹VIP的外表面并具有绝热功能。多个加热套沿管道的纵向方向彼此连接。温度传感器布置在多个加热套中的部分加热套中。温度传感器不布置在多个加热套中的其他加热套中。
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公开(公告)号：CN102479550B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201110382310.0
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103871466A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310675018.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C7/00 , G11C7/1096 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN103871466B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310675018.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C7/00 , G11C7/1096 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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