-
公开(公告)号：CN1186474C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02102857.5
申请日：2002-01-25
Applicant: 不二见株式会社
CPC classification number: C23C4/06 , Y10T428/12174 , Y10T428/12854 , Y10T428/2982 , Y10T428/2993
Abstract: 一种用于形成涂层的喷雾用粉末，以其总重量为基准，它包含80-97%(重量)的金属陶瓷粉末和3-20%(重量)金属粉末，金属粉末包含Cr和Ni，它们的总量为金属粉末总重量的至少90%，Cr含量为金属粉末总重量的0-55%(重量)。
-
公开(公告)号：CN1515641A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03100996.4
申请日：1999-06-22
Applicant: 不二见株式会社
IPC: C09G1/18
CPC classification number: H01L21/02024 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。
-
公开(公告)号：CN1497030A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03127205.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 不二见株式会社
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、氨水、硝酸铵和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。
-
公开(公告)号：CN1129656C
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN99108657.0
申请日：1999-06-15
Applicant: 不二见株式会社
Inventor： 谷克己
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 一种用于存储器硬盘的抛光组合物，它包含水和选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰中的至少一种磨料，该组合物还含有丁二酸或其盐溶解于其中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1428827A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02158978.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 不二见株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/304 , C09K3/14 , C23F1/14
CPC classification number: B24B37/30 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H05K3/26 , H05K3/383 , H05K3/4644 , H05K2203/025 , H05K2203/121
Abstract: 磨光一基底的铜层的方法能够提高磨削率等。该方法包括下列步骤：将一基底供应到在一磨光板上的一磨光垫的上，并使铜层面对磨光垫；借助一压头用一背垫将基底压到磨光垫上；相对于磨光板相对地转动压头，并将软膏供应到在磨光垫上。背垫是由Asker C硬度为75－95、压缩率为10％或更小的材料制成，磨光软膏包括用来螯合铜的螯合剂、用来蚀刻铜层表面的蚀刻剂、用来氧化铜层表面的氧化剂以及水。
-
公开(公告)号：CN1422922A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02154315.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 不二见株式会社
Inventor： 石桥智明
IPC: C09G1/18
CPC classification number: G11B5/8404 , C09G1/02
Abstract: 一种磁盘基材的抛光组合物,它含有:(a)抛光促进剂,该促进剂包含至少一种选自苹果酸、乙醇酸、丁二酸、柠檬酸、马来酸、衣康酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、烟酸、硝酸铝、硫酸铝和硝酸铁(III)的化合物；(b)边缘下陷阻止剂,该阻止剂含有至少一种选自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物；(c)至少一种选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛和碳化硅的研磨剂,和(d)水。
-
公开(公告)号：CN1407050A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141814.4
申请日：2002-08-09
Applicant: 不二见株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。
-
-
公开(公告)号：CN1239129A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99108657.0
申请日：1999-06-15
Applicant: 不二见株式会社
Inventor： 谷克己
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 一种用于存储器硬盘的抛光组合物，它包含水和选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰中的至少一种磨料，该组合物还含有丁二酸或其盐溶解于其中。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.023 seconds)
