公开(公告)号：CN1240223A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108532.9

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物,它包括水,磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。

公开(公告)号：CN1185472A

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN97126036.2

申请日：1997-12-02

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 児玉一志 ,  伊东真时 ,  铃村聡

IPC: C09G1/18

CPC classification number: C23F3/00 ,  C09G1/02

Abstract: 一种抛光铝、铜或钨膜的组合物,它包含水和选自二氧化硅,氧化铝,氧化铈,氮化硅和氧化锆的抛光剂,所述组合物还包含溶解在组合物中的铁(Ⅲ)化合物,其中铁(Ⅲ)化合物选自焦磷酸铁(Ⅲ),柠檬酸铁(Ⅲ),柠檬酸铁(Ⅲ)铵,草酸铁(Ⅲ)铵,硫酸铁(Ⅲ)铵,高氯酸铁(Ⅲ),氯化铁(Ⅲ),硫酸铁(Ⅲ)和磷酸铁(Ⅲ)。

公开(公告)号：CN1265440C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03100997.2

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光方法，该方法中使用的抛光组合物包括水，磨料和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1161999A

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN97101813.8

申请日：1997-01-28

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 児玉一志 ,  铃村聡 ,  横道典孝 ,  三浦史朗 ,  大竹秀树 ,  河村笃纪 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: 一种抛光组合物，它含有氮化硅细粉、水和一种酸。

公开(公告)号：CN1285687C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03100996.4

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1515641A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03100996.4

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1516246A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03100997.2

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光方法，该方法中使用的抛光组合物包括水，磨料和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1129657C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN99108532.9

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物，它包括水，磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。

公开(公告)号：CN1075541C

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN97101813.8

申请日：1997-01-28

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 児玉一志 ,  铃木聡 ,  横道典孝 ,  三浦史朗 ,  大竹秀树 ,  河村笃纪 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: C09G1/02

Abstract: 一种抛光组合物，它含有氮化硅细粉、水和一种酸。