公开(公告)号：CN1240223A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108532.9

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物,它包括水,磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。

公开(公告)号：CN1265440C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03100997.2

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光方法，该方法中使用的抛光组合物包括水，磨料和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1285687C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03100996.4

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1515641A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03100996.4

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1266243C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02103447.8

申请日：2002-02-01

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 河濑昭博 ,  冈村正朗 ,  井上穣

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02

Abstract: 可有效防止铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、铬(Cr)等过渡金属对被研磨物污染的研磨用组合物以及用其进行研磨的方法。研磨用组合物由以下物质组成：(a)二氧化硅、(b)从由碱金属无机盐、铵盐、环状铵和乙二胺组成的群中选择的任何一种碱性物质、(c)从由以下通式[1]所示化合物或其盐中选择的螯合剂见右式[1]和(d)水。本发明的研磨方法是用本发明的研磨用组合物进行单晶硅、多晶硅或前述2种构成的半导体晶片的研磨。

公开(公告)号：CN1516246A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03100997.2

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光方法，该方法中使用的抛光组合物包括水，磨料和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。

公开(公告)号：CN1133705C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN99107174.3

申请日：1999-06-04

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  河瀬昭博

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B7/24

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 公开了一种用于晶片的边抛光组合物，它包含水和平均粒度为70-2.500纳米的二氧化硅。

公开(公告)号：CN1129657C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN99108532.9

申请日：1999-06-22

Applicant: 不二见株式会社

Inventor： 井上穣 ,  伊东真时

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物，它包括水，磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。