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公开(公告)号：CN102664351B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210131283.4
申请日：2012-05-02
Applicant: 长春理工大学
Inventor： 李占国 , 尤明慧 , 刘国军 , 欧仁侠 , 魏志鹏 , 高欣 , 李林 , 史丹 , 王勇 , 乔忠良 , 邓昀 , 王晓华 , 辛德胜 , 张剑家 , 曲轶 , 薄报学 , 马晓辉
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提出了一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构，其基本思想是采用多层垂直耦合量子点作为隧道结，实现激光器的高效隧穿耦合，即通过多层垂直耦合量子点隧道结将两个或两个以上量子阱激光器串联起来。与采用薄层隧道结结构的激光器相比，多层垂直耦合量子点作为隧道结其效果在于多层耦合的量子点结构具有更高的耦合隧穿效率，可有效实现载流子的隧穿再生，并且减小隧道结带来的压降和电阻，提高隧道结的隧穿几率和光功率转换效率。
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公开(公告)号：CN103545706A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310389409.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S3/109
Abstract: 本发明提供的一种全固态355nm激光器包括反射镜A(1)、泵浦源(2)、Nd:YAG晶体(3)、调制器(4)、偏振分光镜(5)、非线性光学晶体A(6)、输出镜A(7)、输出镜B(8)、45度反射镜A(9)、45度反射镜B(10)、二向色镜(11)、聚焦光学系统(12)、紫外分光镜(13)、非线性光学晶体B(14)、反射镜B(15)和紫外激光输出镜(16)；利用偏振分光镜(5)将Nd:YAG晶体(3)发射的1064nm波长光分解成两个偏振方向相互垂直的o光和e光，并各自形成激光器的谐振腔，其中的1064nm波长e光倍频获得532nm绿光，该532nm绿光与1064nm波长o光通过非线性光学变换来产生355nm激光。与现有技术相比，本发明的优点在于：该激光器解决了Nd:YAG晶体三倍频时偏振失配问题，具有高的三倍频转换效率。
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公开(公告)号：CN103193261A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310117931.5
申请日：2013-04-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于柯肯达尔效应（Kirkendall）的扩散原理与核壳结构制备非掺杂的纳米p型氧化锌（p-ZnO）的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：在附有氧化锌籽晶的硅衬底上利用水热法生长氧化锌纳米棒阵列，然后利用原子层沉积技术沉积氧化铝薄层与氧化锌薄层包覆在纳米棒表面，薄层的厚度小于纳米棒的半径，形成ZnO/Al2O3/ZnO的多层结构，再将此结构进行退火处理，在700℃的高温下于空气中退火3小时，氧化锌中的锌离子扩散进入氧化铝中形成铝酸锌包覆在氧化锌外面，同时在氧化锌纳米棒中形成受主空位，显示为p型氧化锌的特性，如图所示。
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公开(公告)号：CN102897851A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210176695.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited Aggregation，DLA)原理，制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：以镍、钴的金属片作为反应源，放置在填满氯化钠石英容器内，并对容器进行加热。当温度达到1000℃以上时，氯化钠变为熔融态。由于氯离子有较强的腐蚀性，金属镍、钴被腐蚀而产生镍、钴的金属离子，并扩散出来。当金属离子达到一定的浓度时，以扩散作用为主要生长动力，按照自组装方式一个一个聚集在金属片表面，从而形成镍、钴的金属纳米结构。在反应过程中，通入适量的氧气，则发生氧化反应。最后形成镍、钴氧化物的纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101886281A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010213224.2
申请日：2010-06-30
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。在现有具有Si-ZnO结构的材料中，尚无ZnO纳米线生长在Si纳米线上的材料；现有制备具有Si-ZnO结构的材料的方法如分子束外延其设备昂贵、工艺复杂、成本高。本发明之方法属于电化学沉积方法，首先配制先驱体水溶液，其中以硝酸锌为锌源，以六次甲基四胺作为表面活性剂，硝酸锌与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将所配制的先驱体水溶液转入三电极体系，其中以Si纳米线作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为5～30min，沉积电位为-1.15～-1.95V。在产物中ZnO纳米线生长在Si纳米线上。
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公开(公告)号：CN101476155A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810051709.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 长春理工大学
Abstract: Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法属于半导体发光材料技术领域。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的分子束外延、金属有机化学气相沉积和磁控溅射等方法需要使用昂贵设备，并且能耗大、成本高、操作复杂，原料的利用率低，可重复性差。本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，首先配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为－0.8～－1.0V；最后做后处理，将产物冲洗、干燥。
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公开(公告)号：CN117116743B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311351795.6
申请日：2023-10-19
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/228 , H01L21/388
Abstract: 提高胶体量子点电导率的方法及高导电率的胶体量子点。属于半导体材料加工技术领域，具体涉及胶体量子点加工技术领域。其解决了以往的胶体量子点导电性能和稳定性差的问题。所述方法为首先去除胶体量子点的有机配体，得到去除有机配体的量子点，再将掺杂原子引入胶体量子点表面，提高胶体量子点的导电率。本发明所述方法可以应用在纳米电子器件、高分辨率显示、光电传感器和智能传感网技术领域。
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公开(公告)号：CN114300580B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111658225.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明属于新材料技术领域。本发明提供了一种探测器材料的制备方法，本发明通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变化，最后利用分子束外延技术在设置的外延生长条件参数下进行探测器材料的外延生长。由于到达衬底表面的原子的迁移率相同，条形生长区域的宽度不同导致迁移到条形生长区域的原子数目不同，从而使得材料的组分随着条形生长区域宽度的变化而发生改变或层厚随着条形生长区域宽度的变化而发生改变。本发明所提出的这种半导体材料制备方法可提供高质量材料，推动多色、宽光谱探测器的发展和应用。
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公开(公告)号：CN117174768A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311444038.3
申请日：2023-11-02
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0232 , H01L27/144 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，具体涉及一种探测器、探测器制作方法及波前校正方法，探测器包括SiO2层、微纳结构和Al2O3层和探测器本体探测器本体上设有多个单像元和相位调制电极，多个单像元组成面阵，多个单像元都与相位调制电极连接，SiO2层的一端与单像元的一端连接，SiO2层的另一端上设置有阵列排布的微纳结构，Al2O3层与阵列排布的微纳结构互补且与微纳结构和SiO2层连接，探测器本体上设置有与相位调制电极连接的电控接口。本发明采用微纳电场调控与光学优化相结合的方式，通过控制器电控微纳结构对透射光进行相位调整，是一种透射式、无机械运动的波前较正方法，结构简单，无机械振动，易于小型化，可自动调节探测器各像元的相位差，提高成像质量。
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