公开(公告)号：CN101886281A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010213224.2

申请日：2010-06-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 方铉 ,  魏志鹏 ,  王晓华 ,  李金华 ,  方芳 ,  赵东旭 ,  浦双双

IPC: C25D9/04 ,  C25D7/12 ,  C30B30/02 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明涉及一种Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。在现有具有Si-ZnO结构的材料中，尚无ZnO纳米线生长在Si纳米线上的材料；现有制备具有Si-ZnO结构的材料的方法如分子束外延其设备昂贵、工艺复杂、成本高。本发明之方法属于电化学沉积方法，首先配制先驱体水溶液，其中以硝酸锌为锌源，以六次甲基四胺作为表面活性剂，硝酸锌与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将所配制的先驱体水溶液转入三电极体系，其中以Si纳米线作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为5～30min，沉积电位为-1.15～-1.95V。在产物中ZnO纳米线生长在Si纳米线上。