公开(公告)号：CN101776639A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010030824.5

申请日：2010-01-15

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 李金华 ,  李静 ,  方铉 ,  王晓华 ,  魏志鹏 ,  赵东旭

IPC: G01N27/327 ,  C01G9/02

Abstract: ZnO纳米线生物传感器及其制备方法属于纳米半导体材料技术领域。现有技术将ZnO纳米粒子与酶混合溶液旋涂在电化学电极上制成酶电极。ZnO纳米粒子完全被不导电的酶包裹起来，另外，在电化学电极表面形成的酶膜不均匀，从而影响了酶的活性中心和电极之间的直接电子转移，作为生物传感器，灵敏度降低。本发明之ZnO纳米线生物传感器包括衬底、ZnO以及酶，在衬底上有一层导电层，ZnO纳米线生长在导电层上，ZnO纳米线表面附着酶包裹层。本发明之方法首先在衬底上制作导电层，其次在导电层上生长ZnO纳米线，第三在ZnO纳米线表面生成酶包裹层。本发明之生物传感器作为工作电极用于作为化学测试装置的电化学工作站，实现精确测试。

公开(公告)号：CN101956181A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010213221.9

申请日：2010-06-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  方铉 ,  李金华 ,  王晓华 ,  方芳 ,  赵东旭 ,  王菲 ,  吴韬

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法属于纳米材料技术领域。现有技术采用化学方法制备NiO纳米材料，但是，所制备的NiO纳米线排列混乱，未形成良好的阵列形貌。本发明采用管式炉、真空管等进行制备，将过渡金属衬底置于真空管中，将过渡金属氯化物等重量地分别置于两个一端封闭的管状容器中，并将这两个管状容器也置于真空管中，这两个管状容器的开口端相对朝向过渡金属衬底两侧边缘；将真空管放入管式炉中，启动真空泵使真空管内腔处在真空状态；管式炉升温至500～700℃，自进气管通入O2/Ar混合气体，O2占混合气体体积的5～15％，继续升温至刻蚀温度，刻蚀温度在900～980℃范围内确定，保持10～30分钟。

公开(公告)号：CN101956181B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201010213221.9

申请日：2010-06-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 魏志鹏 ,  方铉 ,  李金华 ,  王晓华 ,  方芳 ,  赵东旭 ,  王菲 ,  吴韬

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 过渡金属镍、钴氧化物纳米线阵列制备方法属于纳米材料技术领域。现有技术采用化学方法制备NiO纳米材料，但是，所制备的NiO纳米线排列混乱，未形成良好的阵列形貌。本发明采用管式炉、真空管等进行制备，将过渡金属衬底置于真空管中，将过渡金属氯化物等重量地分别置于两个一端封闭的管状容器中，并将这两个管状容器也置于真空管中，这两个管状容器的开口端相对朝向过渡金属衬底两侧边缘；将真空管放入管式炉中，启动真空泵使真空管内腔处在真空状态；管式炉升温至500～700℃，自进气管通入O2/Ar混合气体，O2占混合气体体积的5～15％，继续升温至刻蚀温度，刻蚀温度在900～980℃范围内确定，保持10～30分钟。

公开(公告)号：CN101886281A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010213224.2

申请日：2010-06-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 方铉 ,  魏志鹏 ,  王晓华 ,  李金华 ,  方芳 ,  赵东旭 ,  浦双双

IPC: C25D9/04 ,  C25D7/12 ,  C30B30/02 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明涉及一种Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。在现有具有Si-ZnO结构的材料中，尚无ZnO纳米线生长在Si纳米线上的材料；现有制备具有Si-ZnO结构的材料的方法如分子束外延其设备昂贵、工艺复杂、成本高。本发明之方法属于电化学沉积方法，首先配制先驱体水溶液，其中以硝酸锌为锌源，以六次甲基四胺作为表面活性剂，硝酸锌与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将所配制的先驱体水溶液转入三电极体系，其中以Si纳米线作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为5～30min，沉积电位为-1.15～-1.95V。在产物中ZnO纳米线生长在Si纳米线上。

公开(公告)号：CN101476155A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810051709.9

申请日：2008-12-30

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 李金华 ,  方铉 ,  赵东旭 ,  王晓华 ,  魏志鹏 ,  苏广义

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C30B30/02 ,  C25D9/04 ,  C01G9/02 ,  H01L21/368

Abstract: Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法属于半导体发光材料技术领域。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的分子束外延、金属有机化学气相沉积和磁控溅射等方法需要使用昂贵设备，并且能耗大、成本高、操作复杂，原料的利用率低，可重复性差。本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，首先配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为－0.8～－1.0V；最后做后处理，将产物冲洗、干燥。