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公开(公告)号：CN103159288A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310117561.5
申请日：2013-04-08
Applicant: 长春理工大学
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明是一种新型的用于降解有机物的光催化反应器，属于水净化技术领域。现有的水净化设备存在效率不高、去污能力不够强的缺点，催化材质型状固定，不能自行弯曲，灵活使用性较低。本发明可解决这些实际问题，本装置包含四大部分：净化处理器、水泵、水管、液体容器。本发明的催化材料是镀有氧化锌薄膜的碳纤维，催化材料放置在净化处理器中，净化处理器由镀有氧化锌薄膜的碳纤维组成。镀膜技术选用ALD原子层沉积技术，可在碳纤维表面镀上均匀的氧化锌纳米薄膜，催化效率大大增强；此种催化材料还可根据净化处理器形状的需要自行弯曲。本发明具有催化效率高的优点，催化材料具有可弯曲性、轻便的特征，应用范围广、价值高。
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公开(公告)号：CN102897851B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210176695.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited Aggregation，DLA)原理，制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：以镍、钴的金属片作为反应源，放置在填满氯化钠石英容器内，并对容器进行加热。当温度达到1000℃以上时，氯化钠变为熔融态。由于氯离子有较强的腐蚀性，金属镍、钴被腐蚀而产生镍、钴的金属离子，并扩散出来。当金属离子达到一定的浓度时，以扩散作用为主要生长动力，按照自组装方式一个一个聚集在金属片表面，从而形成镍、钴的金属纳米结构。在反应过程中，通入适量的氧气，则发生氧化反应。最后形成镍、钴氧化物的纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102851791A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210176676.7
申请日：2012-06-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种采用静电纺丝技术和原子层沉积技术相结合的方法制备高导电性、宽光谱高透过性的MgZnAlO及其复合结构的纳米纤维。包括三个步骤：一、采用静电纺丝技术生长PVP纳米纤维；二、以PVP纳米纤维为模板，利用原子层沉积技术在其上沉积MgZnAlO薄层，构建MgZnAlO/PVP复合结构纳米纤维；三、对复合结构纤维进行高温退火处理，去除PVP，得到MgZnAlO纳米纤维。可以通过改变沉积过程的参数来获得组分和直径不同的MgZnAlO/PVP复合结构纳米纤维。所获得的纤维其具有良好的韧性、强度，高导电特性和平滑的表面结构，对较宽光谱有高透过性。可根据需要对所掺杂的Mg和Al进行组分控制。
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公开(公告)号：CN102817077A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210256523.3
申请日：2012-07-24
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提出一种基于高温刻蚀方法对过渡金属氧化物纳米线阵列进行掺杂的技术。将过渡金属衬底和掺杂用的金属氯化物等重量地分别置于管式炉中，对真空管内腔进行处理，排出杂质气体。管式炉升温至500～700℃后通入掺5～15％O2的Ar气，在过渡金属衬底表面生成过渡金属氧化物层，金属氯化物与O2反应生成氯气和过渡金属氧化物，因过渡金属氧化物为气态，继续升温至刻蚀温度到900～980℃范围内，它会随着氯气透过过渡金属氧化物层向下扩散，形成掺杂的气态过渡金属氯化物，自组装形成近乎直立的纳米线阵列，有效实现过渡金属掺杂的目的，再被混合气体中的O2氧化成过渡金属氧化物，完成掺杂的过渡金属氧化物纳米线阵列的制备。
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公开(公告)号：CN102345110A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110290014.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明采用金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition简称MOCVD)方法制备GaAs纳米结构。在GaAs体材料衬底上气化生长GaAs纳米结构，属V-S(气-固)机制。在真空反应室中，用GaAs体材料做衬底，并对衬底高温加热，当达到一定温度(700℃-1200℃)时，衬底GaAs被分解，As气化，留下单质Ga纳米结构。同时通入有机化合物叔丁基砷(TBAs)As源到反应室中，TBAs的热分解温度较低。真空反应室中As的浓度越来越大，当As的浓度达到一定值时，对系统迅速降温，使As以自组装形式与Ga又重新结合，形成GaAs纳米结构，以氮气(N2)作为载气，以氩气(Ar)作为保护气，防止As在气化时生成氯化砷，也防止单质Ga被氧化。利用这种方法生长GaAs纳米结构，操作简单，给量产带来很大便利。
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公开(公告)号：CN103193261A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310117931.5
申请日：2013-04-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于柯肯达尔效应（Kirkendall）的扩散原理与核壳结构制备非掺杂的纳米p型氧化锌（p-ZnO）的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：在附有氧化锌籽晶的硅衬底上利用水热法生长氧化锌纳米棒阵列，然后利用原子层沉积技术沉积氧化铝薄层与氧化锌薄层包覆在纳米棒表面，薄层的厚度小于纳米棒的半径，形成ZnO/Al2O3/ZnO的多层结构，再将此结构进行退火处理，在700℃的高温下于空气中退火3小时，氧化锌中的锌离子扩散进入氧化铝中形成铝酸锌包覆在氧化锌外面，同时在氧化锌纳米棒中形成受主空位，显示为p型氧化锌的特性，如图所示。
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公开(公告)号：CN102897851A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210176695.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited Aggregation，DLA)原理，制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：以镍、钴的金属片作为反应源，放置在填满氯化钠石英容器内，并对容器进行加热。当温度达到1000℃以上时，氯化钠变为熔融态。由于氯离子有较强的腐蚀性，金属镍、钴被腐蚀而产生镍、钴的金属离子，并扩散出来。当金属离子达到一定的浓度时，以扩散作用为主要生长动力，按照自组装方式一个一个聚集在金属片表面，从而形成镍、钴的金属纳米结构。在反应过程中，通入适量的氧气，则发生氧化反应。最后形成镍、钴氧化物的纳米结构。
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