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公开(公告)号：CN108662541A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201711462943.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
IPC: F21S41/16 , F21V29/503 , F21V29/52 , F21V29/83 , F21V29/89 , F21W107/10
CPC classification number: F21V29/503 , F21V29/52 , F21V29/83 , F21V29/89
Abstract: 本发明公开了一种汽车激光灯散热系统，包括位于激光灯的散热端和位于散热端底部的进风管，所述进风管的底部连接散热端的内部；并且在进风管内和散热端接触的位置设有气体液化系统；在所述散热端的另一端设有散热管。该系统具有结构合理、散热效果好的特点，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN108658467A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201711467460.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低熔点玻璃粉及其制造的激光照明用玻璃陶瓷，该低熔点玻璃粉的制造方法为：将原料药均匀混合，放入变频振动器内进行高频振动1-2小时；接着放入高速离心机进行离心旋转，并结合低温设备使用，低温温度控制在零下5-10度，离心机转速为30000-80000r/min，旋转时间为10-20分钟；在170-800℃的温度下熔制100-120分钟，得到玻璃液；温度降至500时，将玻璃液进行控制式降温，温度到50时，将得到的块状玻璃；进行粉碎，放入球磨机球磨，得到低熔点玻璃粉。该产品质量稳定，不同的熔融温度可选，适用性更强，尤其适用于制造陶瓷，具有优异的理化性能。
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公开(公告)号：CN108623178A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711467461.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
IPC: C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明公开了一种白光LED用黄色荧光薄膜的制备方法，主要采用腐蚀剂腐蚀和旋转式激光切割两种方式对激光玻璃进行抛光处理；腐蚀剂腐蚀主要采用将激光玻璃在腐蚀剂中旋转来达到腐蚀玻璃周边颗粒的效果；旋转式激光切割主要是在激光切割机上设立激光切割矩阵，并将激光玻璃采用吸附和旋转结构，使激光玻璃固定并做缓慢旋转；本发明采用轻度腐蚀和真空旋转切割相结合，可极大地提高激光玻璃表面的光洁度，同时操作简便，工艺步骤简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108623177A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711462969.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种磷酸盐激光玻璃表面增强的处理方法，该方法包括以下步骤：预处理；将预处理后的磷酸盐激光玻璃采用夹具固定，并将夹具和高速旋转机结合，灌入混酸至没过磷酸盐激光玻璃，封闭后，以每分钟3000-8000转的转速转动玻璃5-10分钟；调整磷酸盐激光玻璃位置，用夹具夹持后，继续在混酸中旋转，速度为每分钟3000-8000转，时间为5-10分钟；采用倒出混酸，倒入去离子水，封闭后，采用上述方法旋转，在300-500℃下，反应24-36小时；降温，取出样品用盐酸处理后，用去离子水洗涤后烘干。通过本发明的方法，使磷酸盐激光玻璃的机械性能很大提高，大幅提高在氙灯泵浦下的重复频率和热破坏阈值。
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公开(公告)号：CN105633795A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610184072.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 长春理工大学
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0654
Abstract: 一种扩展透明窗口半导体激光器，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足单模半导体激光器高功率工作的技术要求，半导体激光器输出端(2)受到有限光斑尺寸的限制极易损伤。本发明采用高阶布拉格光栅(6)作为激光器后腔面反馈结构，采用窄条形脊形波导作为激光器增益区(5)，在激光器输出端(2)采用平面扩展透明窗口结构(4)有效增加了输出光斑尺寸，从而改善窄条形单模半导体激光器的功率输出特性。该方法可应用于各类半导体激光器的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332681A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110217210.2
申请日：2011-08-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。
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公开(公告)号：CN101533770B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910066813.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/302 , H01L33/00 , C23C14/22 , C23C14/02
Abstract: 一种定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法。是采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法，来制作实现量子点单光子发射器件的InAs/GaAs量子点，克服量子点在生长表面上随机分布并且点密度很高而且分布的随机性很大的难题，可靠地控制其在光学微腔中的位置。本发明是一种定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法。克服了自组织生长方法生长量子点的随机性，可靠地控制其位置和密度。这种基于单光子发射源的需要而设计提出来的方法将为制备量子点单光子发射源在材料制备方法上提供一种参考手段。
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公开(公告)号：CN108631150A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711462888.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种自带电源的激光二极管，包括基座，所述基座上设置有外壳，所述外壳内设置有激光源、动作器，所述激光源与监测其温度的温控器连接，动作器上设置有凸镜，所述凸镜设置在激光源正上方，所述外壳上方设置有透窗，所述基座上设置有管脚A、管脚B，所述激光源上设置有激光晶体，在所述动作器旁设有一个驱动IC，所述驱动IC将引脚输入的恒定电压转换为激光管的恒定工作电流。本发明的激光二极管自带电源并且封装，这样大大优化了结构，降低了成本，也提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN108620737A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711467462.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 长春理工大学
IPC: B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种激光直写玻璃表面制备光学微结构的方法，包括以下步骤：（1）将激光聚焦到玻璃表面，开启压缩气罐阀门，通过内径为4mm～7mm的通气管平行于玻璃表面吹辅助气体，辅助气体压强为0.3MPa～0.4MPa，平台运动速度设定为200mm/min～500mm/min，对于BK7玻璃激光能量密度设定为3.1J/cm2～7.5J/cm2，对于普通玻璃能量密度设定为2.1J/cm2～6.4J/cm2；开光加工；（2）完成后利用超声波清洗2～5分钟；激光器是低重频0.5KHz～5KHz、长脉宽20～120μs的激光器；激光器是532nm半导体泵浦激光器以及1064nm固体激光器；与其他机械加工方法相比，该方法属于非接触加工领域，有效避免道具磨损，并改善微结构粗糙度。
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公开(公告)号：CN104485275A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410835183.9
申请日：2014-12-30
Applicant: 长春理工大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0062 , H01L33/10 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明提出了一种用于定位量子点外延生长的“倒三棱锥”衬底制备方法，采用电子束光刻(EBL)并结合湿法/干法刻蚀技术在GaAs晶片上制备所需图形。在这种“倒三棱锥”图形衬底上可制备出高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层。同时，采用这种方法可以实现高质量超低密度、位置可控量子点的生长，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。
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