-
公开(公告)号：CN112115675B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010992245.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束工装图版设计系统，包括：自动布局模块，对电路原理图和电线表中的数据进行分析，提取线束布线特征元素，整理线束布线路径，进行布线工艺构型布局；布局优化模块，根据工艺布局边界尺寸要求，对自动布局模块完成的布线工艺构型布局进行构型优化，使优化后的线束布线布局满足工程布线要求，获得线束工装图版；辅助工艺设计模块，提供布线工装图版设计常用绘图功能模块，用于设计人员对自动布局模块或布局优化模块获得的布线工艺布局进行修改，或自行绘制布线工艺图版。本发明能够自动完成复杂线束的工艺设计，进行布线工艺构型布局，并根据工艺布局边界尺寸要求，进行构型优化，还提供辅助工艺设计模块供设计人员选择。
-
公开(公告)号：CN112199916A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010992246.7
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束工装图版构型设计方法，包括以下步骤：对线束布线工艺版图构型进行线束布线工艺树建模；主干设计；分支推理；图纸放样；线束布线构型设计；空间优化。本发明能够完成复杂线束的工艺图版构型设计，将工艺图版进行布线工艺树建模，按照布线工艺树模型进行工艺图版的布线构型设计，并对布线构型进行空间优化，生成的线束工装图版可直接提供给操作人员完成布线工作，提高效率，且能保证复杂构型线束的布线准确性，为飞机、舰船等的研发单位和生产企业节约大量人力和物资技术成本，具有巨大的市场应用前景。
-
公开(公告)号：CN112199916B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010992246.7
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束工装图版构型设计方法，包括以下步骤：对线束布线工艺版图构型进行线束布线工艺树建模；主干设计；分支推理；图纸放样；线束布线构型设计；空间优化。本发明能够完成复杂线束的工艺图版构型设计，将工艺图版进行布线工艺树建模，按照布线工艺树模型进行工艺图版的布线构型设计，并对布线构型进行空间优化，生成的线束工装图版可直接提供给操作人员完成布线工作，提高效率，且能保证复杂构型线束的布线准确性，为飞机、舰船等的研发单位和生产企业节约大量人力和物资技术成本，具有巨大的市场应用前景。
-
公开(公告)号：CN112163397B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010992615.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束布线工艺智能设计系统，包括数据管理模块、数据预处理模块、图纸数据解析模块、工艺图版设计模块，通过数据预处理模块对电线表和电路原理图进行预处理，然后通过图纸数据解析模块对电路原理图进行图形解析和语义解析，最后通过工艺图版设计模块自动对电路原理图的线束结构提取结果，进行线束布线构型设计和调整，最终生成符合实际工艺要求的复杂线束工艺图版。本发明生成的线束工艺图版可直接提供给操作人员完成布线工作，提高效率，且能保证复杂构型线束的布线准确性，为飞机、舰船等的研发单位和生产企业节约大量人力和物资技术成本，具有巨大的市场应用前景。
-
公开(公告)号：CN112163397A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010992615.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束布线工艺智能设计系统，包括数据管理模块、数据预处理模块、图纸数据解析模块、工艺图版设计模块，通过数据预处理模块对电线表和电路原理图进行预处理，然后通过图纸数据解析模块对电路原理图进行图形解析和语义解析，最后通过工艺图版设计模块自动对电路原理图的线束结构提取结果，进行线束布线构型设计和调整，最终生成符合实际工艺要求的复杂线束工艺图版。本发明生成的线束工艺图版可直接提供给操作人员完成布线工作，提高效率，且能保证复杂构型线束的布线准确性，为飞机、舰船等的研发单位和生产企业节约大量人力和物资技术成本，具有巨大的市场应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112115675A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010992245.2
申请日：2020-09-21
Applicant: 长春理工大学 , 长春理工大学重庆研究院 , 广东光机高科技有限责任公司
IPC: G06F30/394 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种复杂线束工装图版设计系统，包括：自动布局模块，对电路原理图和电线表中的数据进行分析，提取线束布线特征元素，整理线束布线路径，进行布线工艺构型布局；布局优化模块，根据工艺布局边界尺寸要求，对自动布局模块完成的布线工艺构型布局进行构型优化，使优化后的线束布线布局满足工程布线要求，获得线束工装图版；辅助工艺设计模块，提供布线工装图版设计常用绘图功能模块，用于设计人员对自动布局模块或布局优化模块获得的布线工艺布局进行修改，或自行绘制布线工艺图版。本发明能够自动完成复杂线束的工艺设计，进行布线工艺构型布局，并根据工艺布局边界尺寸要求，进行构型优化，还提供辅助工艺设计模块供设计人员选择。
-
公开(公告)号：CN104332826A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410674455.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。
-
公开(公告)号：CN102332681B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110217210.2
申请日：2011-08-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。
-
公开(公告)号：CN102882120A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210380873.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种提高半导体激光器寿命方法，即“等离子体技术-钝化技术-离子辅助和光学膜技术”一体化技术，包括：半导体激光器bar条1，经等离子体技术处理的半导体激光器bar条2，钝化膜3，前腔面膜4，后腔面膜5。将解理好的半导体激光器bar条1整齐的堆叠在专用的bar条夹具上，放入真空镀膜机里，抽取真空。当达到预定真空度时，先采用等离子体技术，进行腔面清洗，清除腔面氧化物和不稳定表面态形成经等离子技术处理的半导体激光器bar条2；再采用钝化技术，在腔面上沉积一层钝化膜3，抑制腔面再被氧化；最后采用离子辅助技术和光学膜技术，制备高激光损伤阈值前腔面膜4和后腔面膜5，提高半导体激光器腔面损伤阈值。本发明能有效地提高半导体激光器的寿命。
-
公开(公告)号：CN101626143A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910066797.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性，在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。本发明是关于采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法的，能够实现锑化物体系的低维外延生长的研制，将为替代InP基材料器件，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.029 seconds)
