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公开(公告)号：CN109560163A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811405317.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb2S3量子点修饰采用(NH4)2S钝化液钝化处理后的GaAs纳米线，然后用这种硫钝化处理且包覆有Sb2S3量子点的GaAs纳米线进行探测器器件的制备。对GaAs纳米线进行表面硫钝化处理，降低了GaAs纳米线的表面态密度，提高探测器中载流子寿命，进而提高GaAs纳米线探测器的响应度，用量子点对GaAs纳米线包覆这使量子点与GaAs纳米线材料间构成Ⅱ型能带结构，光照下量子点的光载流子注入到GaAs纳米线中，提高GaAs纳米线探测器器件响应度，同时防止了钝化层被再次氧化，进而提高GaAs纳米线探测器的探测性能，解决现有GaAs纳米线探测器器件响应度较差的问题。
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公开(公告)号：CN109534279A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811411998.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1-xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1-xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1-xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1-xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。
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公开(公告)号：CN114481308B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111636119.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
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公开(公告)号：CN114235701B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111570147.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种可对检测结果进行实时自校准痕量气体浓度的检测装置。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由DFB激光器、分束取样板、激光波长监测模块、激光器控制电路模块、中性分束镜、准直器、模式匹配透镜组、实时自校准衰荡腔、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用密闭式衰荡腔检测参数对开放式衰荡腔气体检测参数进行实时校准，解决现有腔衰荡光谱气体检测技术检测过程繁琐、更换光源对另一种气体检测时需要重新测定空腔参数、空腔衰荡参数不能根据检测环境变化实时更新的问题，具有检测步骤简单、检测结果误差较小、气体检测时可以实时自校准的特点。
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公开(公告)号：CN113284972B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110526233.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009496B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201911411742.2
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法。本发明提供的衬底背面具有周期孔洞结构，周期孔洞结构中制备了表面和衬底背面齐平的金刚石薄膜，增加了衬底材料与金刚石的接触面积，提高了衬底的热导率，利用本发明提供的衬底制备光电子器件，器件背面周期孔洞结构中的的金刚石薄膜可以将器件芯片产生的废热快速的传递到热沉中，提高器件的散热效率，提高器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN111005009A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911397643.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: 本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用。本发明提供的低应力散热层半导体衬底由上至下依次为半导体衬底层、类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层。本发明在半导体衬底层和金刚石薄膜层中间添加类金刚石缓冲层，类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层构成低应力散热层，利用类金刚石缓冲层的缓冲作用，解决了半导体衬底和金刚石薄膜层之间由于不匹配的热膨胀系数引起的应力问题，类金刚石缓冲层有效降低了与半导体衬底间的应力；而且金刚石导电性能较差，本发明通过添加具有导电特性的类金刚石缓冲层，有效改善了金刚石导电性差导致的电极制备难度大的问题。
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公开(公告)号：CN111146146B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201911397635.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基底可多次利用的高效散热半导体衬底的制备方法。本发明在半导体基底背面生长金刚石薄膜，在基底侧面进行划刻，在基底正面进行离子注入并对基底进行退火处理，最后通过剥离得到所需厚度的高效散热半导体衬底，剥离后剩余基底可再次进行本发明所提出的衬底的制备，实现基底的多次使用。本发明提供的方法通过离子注入生成物与原基底材料之间存在较大的应力完成剥离，可以将一片基底进行多次重复利用，避免了基底的浪费，降低了半导体器件的制备成本。
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公开(公告)号：CN114300580A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111658225.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明属于新材料技术领域。本发明提供了一种探测器材料的制备方法，本发明通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变化，最后利用分子束外延技术在设置的外延生长条件参数下进行探测器材料的外延生长。由于到达衬底表面的原子的迁移率相同，条形生长区域的宽度不同导致迁移到条形生长区域的原子数目不同，从而使得材料的组分随着条形生长区域宽度的变化而发生改变或层厚随着条形生长区域宽度的变化而发生改变。本发明所提出的这种半导体材料制备方法可提供高质量材料，推动多色、宽光谱探测器的发展和应用。
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公开(公告)号：CN114235699A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111570126.9
申请日：2021-12-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种高精度痕量气体浓度的装置。本发明提供的高精度痕量气体浓度的装置由可调谐半导体激光器、分束取样板、高灵敏度激光波长监测模块、激光器控制电路模块、准直器、模式匹配透镜组、高精细度衰荡腔、透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用能够对温度精密控制的高反射率布拉格反射镜与高反射率平凹反射镜构成高精细度衰荡腔，结合可调谐半导体激光器，使激光波长和衰荡腔频率均可被调节，有效解决激光波长与衰荡腔模式匹配较难及检测精度较低的问题，同时提高对气体浓度的检测精度。
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