公开(公告)号：CN113078135A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010009743.0

申请日：2020-01-06

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曹俊 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  江伟

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。

公开(公告)号：CN112992836A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911275842.7

申请日：2019-12-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  曹俊

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。

公开(公告)号：CN112928109A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201911243260.0

申请日：2019-12-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  吴佳蒙 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/082 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。

公开(公告)号：CN112713090A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201911019801.1

申请日：2019-10-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 马浩华 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112652583A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201910959548.1

申请日：2019-10-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种封装器件及其生产方法。该封装器件包括引线框架和封装部，所述引线框架包括连接部和多个安装部，任意相邻的两个所述安装部均通过所述连接部连接，所述安装部具有芯片安装面，所述连接部具有贯穿孔，所述贯穿孔沿所述引线框架的厚度方向贯穿设置；所述封装部设置于所述连接部上所述芯片安装面所在的一侧，且所述封装部与所述贯穿孔封堵配合。本发明所提供的封装器件经后续加工过程后，所形成的封装器件单体的侧面能够形成有焊锡层，从而在该封装器件与电路板连接的过程中，保证封装器件与电路板之间具有较高的连接可靠性。

公开(公告)号：CN112447650A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910806941.7

申请日：2019-08-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张宏强 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC: H01L23/495

Abstract: 本发明提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。

公开(公告)号：CN112331622A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910717761.1

申请日：2019-08-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 马浩华 ,  敖利波 ,  史波 ,  曹俊

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法及模块，通过在散热基板上加工容纳槽，在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料，将衬底覆盖在焊料上，衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内，投影方向为垂直于衬底结合面的方向，再熔化焊料以形成位于凹弧面上且至少部分地位于容纳槽内的焊层，使得在衬底结合面的边线附近，衬板与散热基板之间的焊层的厚度增加，即散热基板和衬底之间在边缘位置处的焊层的厚度增加，使散热基板与覆盖在焊层上的衬底充分结合，避免在做高低温冲击试验、温度循环等温度急剧变化的可靠性试验极易出现边缘开裂、断层的现象，改善IGBT模块的可靠性。

公开(公告)号：CN110379720B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910625696.X

申请日：2019-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张宏强 ,  史波 ,  敖利波 ,  曹俊 ,  马浩华

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种DCB衬板的制作方法，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。通过该方法制作的IGBT模块，克服了不同材质之间键合所导致的CTE值不匹配等问题，不但使键合更加牢固，还减少了模块在工作过程中产生的微裂纹等问题。

公开(公告)号：CN112234030A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910635287.8

申请日：2019-07-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。

公开(公告)号：CN112216666A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910626038.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曾丹 ,  史波 ,  江伟 ,  廖勇波

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。